[发明专利]卡盘工作台在审
申请号: | 201310445016.9 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN103715127A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 饭塚健太吕;寺岛将人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 工作台 | ||
技术领域
本发明涉及保持晶片等被加工物的卡盘工作台。
背景技术
在表面形成有器件的晶片等被加工物例如通过具有激光加工单元的激光加工装置被进行加工。该激光加工装置具有在加工时保持被加工物的卡盘工作台(例如,参照专利文献1)。卡盘工作台具有由多孔陶瓷材料构成的吸附部,被加工物由吸附部吸附而被保持在卡盘工作台上。通过使保持了被加工物的卡盘工作台相对于激光加工单元相对移动,能够改变激光光线的照射位置地对被加工物进行加工。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2005-262249号公报
另外,通过上述那样的激光加工装置来加工的被加工物有时具有某种程度的翘曲。例如,在通过照射激光光线来分离贴合的多个基板的提离(lift off)加工中,被加工物具有由基板的贴合引起的翘曲。在以外周侧变高的方式将具有翘曲的被加工物装载到卡盘工作台上时,被加工物的外周部分从吸附部的表面上浮,被加工物与吸附部的紧贴性变低。此时,卡盘工作台不能发挥足够的吸引力,从而无法适当地保持被加工物。
发明内容
本发明是鉴于这样的方面而完成的发明,其目的在于提供一种卡盘工作台,能够适当地保持具有翘曲的被加工物。
本发明的卡盘工作台是在对板状的被加工物实施加工的加工装置中将被加工物保持在上表面上的卡盘工作台,上述卡盘工作台的特征在于,具有:吸附部,其具有在上表面上吸引保持被加工物的吸附面;以及环状密封部,其围绕上述吸附部的周围而形成为环状,且由支撑被加工物的外周侧的弹性部件形成,上述吸附部与在上述吸附面生成负压的负压生成源连通,上述环状密封部的表面高度与被加工物的翘曲对应地形成为比上述吸附面的表面高度高,在吸引保持被加工物时,由于被加工物的翘曲而产生从被加工物外周与上述吸附面间的间隙泄漏的负压,通过被加工物外周与上述环状密封部抵接,该泄漏的负压被密封,该泄漏的负压作用于被加工物外周而使上述弹性部件变形,从而被加工物以与上述吸附面处于同一平面的状态被吸引保持。
根据该结构,由于被加工物的外周部分与由弹性部件形成的环状密封部抵接,所以能够防止翘曲导致的气密性的降低,从而适当地吸引保持被加工物。另外,由于环状密封部通过吸引保持被加工物时的负压而以使被加工物的表面处于同一平面的方式变形,所以能够提高被加工物的加工性。另外,由于环状密封部通过吸引保持被加工物时的负压而变形,所以能够缓和局部的应力而防止被加工物的破损。
发明效果
根据本发明,能够提供一种能够适当保持具有翘曲的被加工物的卡盘工作台。
附图说明
图1是表示本实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。
图2是表示本实施方式的卡盘工作台的结构例的立体图。
图3A、图3B和图3C是表示将具有翘曲的晶片吸引保持在本实施方式的卡盘工作台的样子的示意图。
标号说明
1 激光加工装置(加工装置)
14 激光加工单元
15 卡盘工作台
151 θ工作台
152 工作台底座
152a 底座部
152b 支撑部
152c 贯通孔
152d 气体流路
152e 切口部
153 吸附部
153a 吸附面
154 环状密封部
154a 上表面
154b 切口部
W 晶片(被加工物)
W1 中央部分
W2 外周部分
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。图1是表示具有本实施方式的卡盘工作台15的激光加工装置(加工装置)1的结构例的立体图。图1同时表示了成为加工对象的晶片(被加工物)。本实施方式的激光加工装置1构成为,能够对保持在卡盘工作台15上的晶片W照射激光光线,从而对晶片W进行激光加工。
如图1所示,晶片W具有圆板状的外形形状。晶片W的表面被呈格子状地排列的间隔道划分为多个区域。在晶片W中,在由间隔道划分出的各区域中形成有器件。另外,也可以在晶片W的在吸引保持时与卡盘工作台15接触的背面或表面粘贴保护带。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造