[发明专利]阻变存储器有效
| 申请号： | 201310444816.9 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103680604B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | M·A·范布斯科克 | 申请（专利权）人： | ADESTO技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
1.一种存储单元，包括：
第一阻变元件，所述第一阻变元件包括第一高电阻状态和第一低电阻状态并且具有第一端子和第二端子；
第二阻变元件，所述第二阻变元件包括第二高电阻状态和第二低电阻状态并且具有第一端子和第二端子；和
晶体管，所述晶体管包括第一端子、第二端子和第三端子，所述晶体管的第一端子耦合至所述第一阻变元件的第一端子、所述晶体管的第二端子耦合至所述第二阻变元件的第一端子、所述晶体管的第三端子耦合至字线，其中所述第一阻变元件和所述第二阻变元件的第一端子是阳极端子或阴极端子，其中所述第一阻变元件和所述第二阻变元件的第二端子是阴极端子或阳极端子，其中所述晶体管的第一和第二端子二者均耦合至所述第一阻变元件和所述第二阻变元件的阳极端子或均耦合至所述第一阻变元件和所述第二阻变元件的阴极端子。
2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述晶体管被配置为将所述第一阻变元件的第一端子和所述第二阻变元件的第一端子分流从而同时编程所述第一阻变元件和擦除所述第二阻变元件。
3.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一阻变元件的第二端子耦合至第一位线，其中所述第二阻变元件的第二端子耦合至第二位线。
4.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一阻变元件被配置为具有与所述第二阻变元件相反的电阻状态。
5.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述晶体管是双极晶体管。
6.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述晶体管的第一端子是第一发射极/集电极，其中所述晶体管的第二端子是第二发射极/集电极，且其中所述晶体管的第三端子是基极。
7.如权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述双极晶体管是NPN晶体管，其中所述第一阻变元件的第一端子是所述第一阻变元件的阳极端子，且其中所述第二阻变元件的第一端子是所述第二阻变元件的阳极端子。
8.一种存储单元，包括：
具有第一端子和第二端子的第一阻变元件；
具有第一端子和第二端子的第二阻变元件；和
具有第一端子、第二端子和第三端子的三端子晶体管，所述三端子晶体管的第一端子耦合至所述第一阻变元件的第一端子、所述三端子晶体管的第二端子耦合至所述第二阻变元件的第一端子、所述三端子晶体管的第三端子耦合至字线，其中所述晶体管是PNP晶体管，其中所述第一阻变元件的第一端子是所述第一阻变元件的阴极端子，且其中所述第二阻变元件的第一端子是所述第二阻变元件的阴极端子。
9.一种存储单元，包括：
具有阴极端子和阳极端子的第一阻变元件；
具有阴极端子和阳极端子的第二阻变元件；和
双极晶体管，其具有第一发射极/集电极、第二发射极/集电极、和基极，所述第一发射极/集电极耦合至所述第一阻变元件的阴极端子，所述第二发射极/集电极耦合至所述第二阻变元件的阴极端子，所述基极耦合至字线，所述第一阻变元件的阳极端子耦合至位线对的第一位线，所述第二阻变元件的阳极端子耦合至所述位线对的第二位线，所述存储单元配置为存储第一或第二存储状态。
10.如权利要求9所述的存储单元，其特征在于，所述双极晶体管是PNP晶体管。
11.如权利要求9所述的存储单元，其特征在于，所述双极晶体管是NPN晶体管。
12.如权利要求9所述的存储单元，其特征在于，所述第一阻变元件被配置为具有与所述第二阻变元件相反的电阻状态。
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