[发明专利]一种原位生长制备石墨烯化学修饰电极的方法有效
| 申请号： | 201310444550.8 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103529099A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 江奇;曹甫洋;卢晓英;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 制备 石墨 化学 修饰 电极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种原位生长制备石墨烯化学修饰电极的方法，其步骤是：
A、基底的清洗
将基底依次置于丙酮、无水乙醇和二次去离子水超声清洗，以去除其表面的油污及其他杂质；然后，将基底置于鼓风干燥箱内烘干，待用；
B、原位生长石墨烯
将A步获得的基底置于干净的石英舟中，并将石英舟置于水平式电阻炉的石英管中；先通氩气去除石英管中的氧气，然后在氩气的保护下，将石英管加热到石墨烯的生长温度；然后保温1～180min、在保温时改通碳源气体和氢气；随后，在氩气的保护下冷却至室温，取出即得到原位生长有石墨烯的基底；
C、化学修饰电极的制备
将B步得到的原位生长有石墨烯的基底连接上导线或直接放入夹具中，即得石墨烯化学修饰电极。
2.根据权利要求1所述的一种原位生长制备石墨烯化学修饰电极的方法，其特征在于：所述A步的基底是石英玻璃片或SiO2/Si片。
3.根据权利要求1所述的一种原位生长制备石墨烯化学修饰电极的方法，其特征在于：所述B步中的碳源气体为乙炔、甲烷、乙烯、乙炔的一种或一种以上的混合物。
4.根据权利要求1所述的一种原位生长石墨烯制备其化学修饰电极的方法，其特征在于：所述B步中的石墨烯的生长温度为600～1200℃。
5.根据权利要求1所述的一种原位生长石墨烯制备其化学修饰电极的方法，其特征在于：所述B步中的碳源气体和氢气的体积比为1：1～100。
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