[发明专利]一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺无效
| 申请号: | 201310444316.5 | 申请日: | 2013-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN103472968A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 吴国峰 | 申请(专利权)人: | 无锡宇宁光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 214174 江苏省无锡市惠*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单层 实现 多点 电容 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及电容屏技术领域,尤其涉及一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺。
背景技术
目前行业内传统膜结构的多点触控方案是采用盖板玻璃+双层膜结构,分别在两层PET膜上进行蚀刻、银浆印刷,再将两层PET膜用光学胶粘贴在一起,组成我们所需的双层膜结构的功能片。但是,由于需要在两层PET膜上分别进行蚀刻和印刷,最小厚度为0.45mm,导致电容屏总体厚度较大,成本也远高于单层膜结构的产品,在一些低成本但是需要多点触控的电容屏上难以量产。
发明内容
本发明的目的在于通过一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺,来解决以上背景技术部分提到的问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺,其包括如下步骤:
A、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料,然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸;
B、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层,进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻,得到氧化铟锡图形;
C、在PET膜的两面丝印导电银浆,得到非可视区的走线线路。
特别地,所述步骤A具体包括:将单层PET膜作为衬底,选用铟锡作为靶材,然后通入氧气,在高温高压的条件下,氧离子加速轰击靶材,与铟锡结合为铟锡氧化物,沉积在衬底上得到氧化铟锡材料,然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。
特别地,所述步骤B具体包括:在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层,进行烘烤之后,将PET膜放入配比好的硝酸与盐酸溶液中,反应一段时间后,蚀刻掉不需要的膜层,得到所需氧化铟锡图形。
本发明提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷,实现电容屏多点触控,降低了电容屏的总厚度,同时减少了工艺制程,成本较双层膜结构可以降低50%。
附图说明
图1为本发明实施例提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
请参照图1所示,图1为本发明实施例提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺流程图。
本实施例中单层膜实现多点触控的电容屏工艺具体包括如下步骤:
步骤S101、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡(ITO)材料,然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸。
将单层PET膜作为衬底,选用铟锡作为靶材,然后通入一定量的氧气,在高温高压的条件下,氧离子加速轰击靶材,与铟锡结合为铟锡氧化物,沉积在衬底上得到氧化铟锡材料,然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。
步骤S102、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层,进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻,得到氧化铟锡图形。
在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层,进行烘烤之后,将PET膜放入一定配比的硝酸与盐酸溶液中,反应一段时间后,蚀刻掉不需要的膜层,得到所需ITO图形。
步骤S103、在PET膜的两面丝印导电银浆,得到非可视区的走线线路。
本发明的技术方案在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷,实现电容屏多点触控,降低了电容屏的总厚度,同时减少了工艺制程,成本较双层膜结构可以降低50%。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
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