[发明专利]一种基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件

权利要求书

1.一种基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件，包括光纤（1），其特征在于，所述光纤（1）的任意一段被制作成D形光纤（2）或拉锥光纤（3）；所述D形光纤（2）的平面一侧或拉锥光纤（3）的腰锥体上设有拓扑绝缘体层（4）；所述拓扑绝缘体层（4）厚度为10～50nm；所述D形光纤（2）长度为30~40 mm；所述拉锥光纤（3）长度为15~20 mm。

2.根据权利要求1所述的基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体层（4）为拓扑绝缘体纳米片，所述拓扑绝缘体纳米片通过光学诱导的方法沉积在所述D形光纤（2）的平面一侧或拉锥光纤（3）的腰锥体上，或者喷涂在所述D形光纤（2）的平面一侧或拉锥光纤（3）的腰锥体上。

3.根据权利要求1所述的基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体层（4）为拓扑绝缘体纳米粒，所述拓扑绝缘体纳米粒喷涂在所述D形光纤（2）的平面一侧或拉锥光纤（3）的腰锥体上，或者通过光学诱导的方法沉积在所述D形光纤（2）的平面一侧或拉锥光纤（3）的腰锥体上。

4.根据权利要求1～3之一所述的基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体层（4）厚度为10～20nm。

5.根据权利要求4所述的基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件，其特征在于，所述拓扑绝缘体层（4）材料为Bi₂Se₃、Bi₂Te₃、Sb₂Te₃中的一种。

6.根据权利要求5所述的基于拓扑绝缘体的全光波长转换器件，其特征在于，所述光纤（1）为单模光纤。