[发明专利]一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺

说明书

技术领域

 本发明涉及一种碱处理工艺，尤其涉及一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺。

背景技术

随着光伏行业迅猛发展，对于电池转换效率的提高显得尤为重要，由于单晶硅料成本高，因此，行业还是以多晶硅电池为主导，但在绒面处理上，主要有化学法和物理法两类，大多主要还是以化学法来完成，通过分布密集的腐蚀凹坑来增加光的吸收，最大限度反射率能做到25%-28%左右，物理法能够在化学法绒面的基础上，在腐蚀坑内部刻蚀成“尖尖的小金字塔状”，大大的减少了光的反射，一般能达到8%左右，但是在物理法制绒后的情况下，对于物理法刻蚀前处理中产生的多孔硅难以去除，造成电池片Iver2极大，Rsh受到严重影响，EL扫描结果显示多处亮区。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够使电池片Isc、Rsh、Iver2和EFF提高的晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺，将制绒后的晶体硅等离子体通过腐蚀剂与水的混合液进行碱腐蚀清洗。

优选的，所述腐蚀剂为KOH或NaOH液态碱。

优选的，所述KOH或NaOH的浓度为20%。

优选的，所述腐蚀剂与水的混合液浓度为1.9%～2.3%。

优选的，所述碱腐蚀清洗的温度为28℃～32℃，时间为40s～60s。

与现有技术相比，本发明的有益之处在于：这种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺对制绒后的硅片表面采用碱清洗工艺处理后，使得原本等离子体轰击的夹角绒面变得圆滑，同时，保持极佳的陷光效果；可以在线化学方法制绒设备使用，设备不需要改造，完全实现制绒机自动化生产模式，提高了生产效率；使电池片Isc、Rsh、Iver2和EFF明显提高。

具体实施方式：

下面通过具体实施方式对本发明进行详细描述。

一种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺，将制绒后的晶体硅等离子体通过腐蚀剂与水的混合液进行碱腐蚀清洗；所述腐蚀剂为浓度为20%的KOH或NaOH液态碱；腐蚀剂与水的混合液浓度为1.9%～2.3%；碱腐蚀清洗的温度为28℃～32℃，时间为40s～60s。

但是，在产能紧张时，腐蚀剂与水的混合液浓度可调到3%，时间15s左右，或者碱腐蚀清洗时间在90s左右，腐蚀剂与水的混合液浓度可以降至1.5%，或者碱洗温度在25℃±2，碱洗的浓度可以提高到5%-7%，时间40s-60s，均可以达到相同的效果。

这种晶体硅等离子体制绒后碱处理工艺对制绒后的硅片表面采用碱清洗工艺处理后，使得原本等离子体轰击的夹角绒面变得圆滑，同时，保持极佳的陷光效果；可以在线化学方法制绒设备使用，设备不需要改造，完全实现制绒机自动化生产模式，提高了生产效率；改善后的Voc提高了30mv,Isc提高了120mA，EFF提高了1%，Iver2降低了0.41A，EFF提高了0.5%。

需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。