[发明专利]多晶硅表面处理方法及系统

权利要求书

1.一种多晶硅表面处理方法，应用于利用多晶硅的进行产品生产的工艺，其特征在于，所述多晶硅表面处理方法包括以下步骤：

在所述多晶硅的表面向所述多晶硅内部生成设定厚度的氧化层；

执行去氧化层操作，使得多晶硅达到预设厚度。

2.如权利要求1所述的多晶硅表面处理方法，其特征在于，所述在所述多晶硅的表面向所述多晶硅内部生成设定厚度的氧化层具体为：

在距离所述多晶硅为设定位置处设置氧化控制片；

对所述多晶硅和氧化控制片进行氧化操作；

当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶硅的氧化层的厚度达到设定值时，停止氧化操作。

3.如权利要求2所述的多晶硅表面处理方法，其特征在于，所述氧化控制片为本征态材料。

4.如权利要求3所述的多晶硅表面处理方法，其特征在于，所述本征态材料为单晶硅。

5.如权利要求1所述的多晶硅表面处理方法，其特征在于，所述氧化层通过干法氧化生成。

6.如权利要求1所述的多晶硅表面处理方法，其特征在于，所述执行去氧化层操作，使得多晶硅达到预设厚度具体为：

将包括设定厚度的氧化层的所述多晶硅置于漂洗设备中；

在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶硅至预设厚度。

7.如权利要求6所述的多晶硅表面处理方法，其特征在于，所述漂洗液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液的浓度为100:1，对所述氧化层的蚀刻速率是0.7-1.3埃/秒。

8.一种多晶硅表面处理系统，应用于利用多晶硅的进行产品生产的工艺，

其特征在于，所述多晶硅表面处理装置包括：

氧化层生成单元，用于在所述多晶硅的表面向所述多晶硅内部生成设定厚度的氧化层；

去氧化层单元，用于执行去氧化层操作，使得多晶硅达到预设厚度。

9.如权利要求8所述的多晶硅表面处理系统，其特征在于，所述氧化成生层单元包括：

控制片设置单元，用于在距离所述多晶硅为设定位置处设置氧化控制片；

氧化单元，用于对所述多晶硅和氧化控制片进行氧化操作；

氧化层控制单元，用于当通过检测所述氧化控制片的氧化层的厚度得知所述多晶硅的氧化层的厚度达到设定值时，停止氧化操作。

10.如权利要求8所述的多晶硅表面处理系统，其特征在于，所述去氧化层单元包括：

移位单元，用于将包括设定厚度的氧化层的所述多晶硅置于漂洗设备中；

漂洗单元，用于在所述漂洗设备中放入漂洗液，漂洗所述多晶硅至预设厚度。