[发明专利]重复性缺陷的分析方法

权利要求书

1.一种重复性缺陷的分析方法，包括：

进行前端分析，锁定可疑光罩；

提供进行实验的晶片，并将所述晶片分为第一组和第二组；

对所述第一组晶片按照原始曝光程序进行曝光，获得第一图形；

对所述第二组晶片按照修改后的曝光程序进行曝光，获得第二图形；

比较所述第一图形和第二图形，以确定造成重复性缺陷的光罩；

其中，所述修改后的曝光程序能够使得获得的第二图形相对第一图形移位。

2.如权利要求1所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述第一组晶片和第二组晶片在进行所述曝光前和曝光后所经工艺完全相同。

3.如权利要求1所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述修改后的曝光程序包括：

在曝光时，使得每次曝光的曝光单元朝同一方向偏移若干个晶粒的距离。

4.如权利要求3所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述方向偏移为沿垂直或平行所述重复性缺陷的排列方向进行偏移。

5.如权利要求3所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述偏移的距离为大于等于1个晶粒的距离，小于等于所述曝光单元在行方向或列方向的晶粒数量的距离。

6.如权利要求3所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述比较所述第一图形和第二图形，以确定造成重复性缺陷的光罩的判断标准包括：

若所述第一图形和第二图形皆有重复性缺陷，且所述第二图形的重复性缺陷相比第一图形的重复性缺陷也发生所述偏移，则所述重复性缺陷由所述可疑光罩造成。

7.如权利要求6所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述比较所述第一图形和第二图形，以确定造成重复性缺陷的光罩的判断标准还包括：

若所述第一图形和第二图形皆有重复性缺陷，但不发生所述偏移，则所述重复性缺陷由其他光罩造成。

8.如权利要求1所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述进行前端分析，锁定可疑光罩包括：

进行技术分析，以确定待分析缺陷是所述重复性缺陷，确定工艺过程所涉及的相关光罩并锁定可疑光罩；

进行技术检测，以确定所述可疑光罩处于“检测正常”状态。

9.如权利要求8所述的重复性缺陷的分析方法，其特征在于，所述“检测正常”状态为采用IRIS设备或者STARlight设备进行检测后发现所述可疑光罩良好。