[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201310438756.X | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103715251A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 西森理人;渡边芳孝 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
化合物半导体层叠结构；以及
覆盖所述化合物半导体层叠结构的表面的层间绝缘膜，
所述层间绝缘膜包括：
第一绝缘膜；以及
形成在所述第一绝缘膜上以填充所述第一绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第二绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：
在所述化合物半导体层叠结构上方的栅电极和第一场板电极，
其中所述第一绝缘膜具有由所述栅电极和所述第一场板电极形成在所述第一绝缘膜的所述表面上的所述不规则结构。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，
其中所述层间绝缘膜还包括形成在所述第二绝缘膜上并且具有平坦表面的第三绝缘膜。
4.根据权利要求3所述的化合物半导体器件，还包括：
形成在所述第三绝缘膜上的第二场板电极。
5.根据权利要求3所述的化合物半导体器件，
其中所述层间绝缘膜还包括：
形成在所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜；以及
形成在所述第四绝缘膜上以填充所述第四绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第五绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，
其中所述层间绝缘膜还包括形成在所述第五绝缘膜上并且具有平坦表面的第六绝缘膜。
7.根据权利要求6所述的化合物半导体器件，还包括：
形成在所述第六绝缘膜上的布线层。
8.一种制造化合物半导体器件的方法，包括：
形成化合物半导体层叠结构；以及
形成覆盖所述化合物半导体层叠结构的表面的层间绝缘膜，
所述层间绝缘膜包括：
第一绝缘膜；以及
形成在所述第一绝缘膜上以填充所述第一绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第二绝缘膜。
9.根据权利要求8所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：
在所述化合物半导体层叠结构上方形成栅电极和第一场板电极，
其中所述第一绝缘膜具有由所述栅电极和所述第一场板电极形成在所述第一绝缘膜的所述表面上的所述不规则结构。
10.根据权利要求8或9所述的制造化合物半导体器件的方法，
其中所述层间绝缘膜还包括形成在所述第二绝缘膜上并且具有平坦表面的第三绝缘膜。
11.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：
在所述第三绝缘膜上形成第二场板电极。
12.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，
其中所述层间绝缘膜还包括：
形成在所述第三绝缘膜上的第四绝缘膜；以及
形成在所述第四绝缘膜上以填充所述第四绝缘膜的表面上的不规则结构并且具有平坦表面的第五绝缘膜。
13.根据权利要求12所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：
在所述第五绝缘膜上形成具有平坦表面的第六绝缘膜。
14.根据权利要求13所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：
在所述第六绝缘膜上形成布线层。
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