[发明专利]测量方法在审
| 申请号： | 201310438649.7 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104465431A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 许亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种测量方法，包括步骤：
定义半导体晶圆待检测点的个数；
将所述待检测点均匀分布在晶圆同心圆上，所述晶圆同心圆与所述半导体晶圆共圆心；
当测量同一晶圆同心圆上的待检测点时，测量完一待检测点之后，所述半导体晶圆自转预定角度到达下一待检测点。
2.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述晶圆同心圆的个数大于等于1。
3.如权利要求2所述的测量方法，其特征在于，当所述晶圆同心圆的个数大于1且位于同一晶圆同心圆上的待检测点检测完时，所述半导体晶圆平移至下一晶圆同心圆上的待检测点进行检测。
4.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述半导体晶圆设置于一检测台上，所述检测台带动所述半导体晶圆进行自转或平移。
5.如权利要求1所述的测量方法，其特征在于，所述半导体晶圆的表面形成有薄膜，所述测量方法用于测量所述薄膜的厚度。
6.如权利要求5所述的测量方法，其特征在于，所述测量方法采用光学法测量薄膜的厚度。
7.如权利要求6所述的测量方法，其特征在于，所述光学法采用的光为椭圆偏正光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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