[发明专利]一种制备低水峰光纤预制棒的方法

权利要求书

1.一种制备低水峰光纤预制棒的方法，该方法包含如下步骤：

（a）使用气相轴向法（VAD）在靶棒（31）上沉积包含SiO₂， GeO₂等的粉末，通过设定工艺参数包括靶棒（31）提升速度和不同喷灯的给料速度，给料气体种类和给料气体含量，来保证掺杂和几何比例及均匀性；

（b）待粉末体（12）在靶棒（31）上沉积完成后，将靶棒（31）从粉末体（12）中抽离，在粉末体（12）的中心形成沿轴线（11）的中心孔（10）；

（c）将管状粉末体（12）一端安装把持机构，另一端安装堵头（33），然后通过把持机构将粉末体送入充有脱水气体和导热气体的加热炉（50）中将管状粉末体（12）进行脱水和烧结成管状玻璃体（19）；

（d）在烧结后的管状玻璃体（19）两端焊接延长管（32），将该管状玻璃体（19）置于含氢氟酸的液体内进行腐蚀，然后对管状玻璃体（19）中心孔（10）区域和外表面进行清洗处理，再将清洗后的管状玻璃体（19）置于洁净环境中干燥；

（e）将干燥后的管状玻璃体（19）转移至含有氧气和含氟气体的电热炉中进行融缩，融缩时需要在管状玻璃体的一端抽真空，使气体在管状玻璃体（19）缩合后的中心区域内定向流动，在融缩过程中，管状玻璃体（19）保持沿轴线（11）旋转，在融缩过程中可以同时对管状玻璃体（19）进行拉伸；

（f）将拉伸后的玻璃棒外包包层或直接拉丝成光纤，所述光纤在1383nm 波长衰耗低于0.35dB/km。

2.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤f的光纤在1383nm波长的衰耗进一步低于0.31dB/km。

3.如权利要求书1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤e中管状玻璃体（19）中心区域的OH质量含量小于1ppb。

4.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤a中的预制棒气相轴向法采用至少两个沉积喷灯。

5.根据权利要求4所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：沉积时第一喷灯（13）在靶棒上沉积，第二喷灯（14）在第一喷灯（13）沉积粉末上沉积，第三喷灯在第二喷灯沉积粉末上沉积，如此类推。

6.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述气相轴向法中的用于沉积粉末层的最里层沉积在预装在轴线（11）方向的旋转的靶棒（31）上，所述靶棒（31）为玻璃或者陶瓷材料。

7.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤c中堵头（33）为羟基质量含量小于10ppm的柱状玻璃材料。

8.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤c中管状粉末体（12）的脱水在含有氯气、氦气和氧气的一种或多种的混合气体的氛围在加热炉内进行的。

9.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤d包含保持原有沉积起始端的延长管（32），切除沉积结束端的含堵头（33）的玻璃，在切除沉积结束端的含堵头（33）的玻璃处焊接延长管（32）。

10.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤e中管状玻璃体（19）置于含氢氟酸的液体内进行腐蚀，中心孔（10）内管状玻璃体（19）被腐蚀的厚度不小于50μm。

11.根据权利要求书10中所述的腐蚀步骤中，其特征在于：所述管状玻璃体（19）腐蚀厚度不小于500μm。

12.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤e中的清洗液体为去离子水。

13.根据权利要求1所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述步骤e中在缩合前，在加热环境下对中心区域的气体氛围以及中心孔（10）区域玻璃采用含氟气体进行化学腐蚀、脱水。

14.根据权利要求13所述的制备低水峰光纤预制棒的方法，其特征在于：所述的含氟气体为C₂F₆和O₂的混合气。