[发明专利]一种高灵敏度的热电子热辐射探测计及其制备方法

权利要求书

1.一种电子热辐射探测计的制备方法，包括如下步骤：

（1）在SiO₂衬底上进行甩膜得到PMMA层；对所述PMMA层依次进行电子束曝光和显影得到电极的图形，然后蒸镀电极；

（2）去除所述SiO₂衬底上的所述PMMA层；将氮化硼-无序石墨烯薄膜转移到所述SiO₂衬底上；

所述氮化硼-无序石墨烯薄膜为由氮化硼薄膜和无序石墨烯薄膜依次叠加的复合薄膜，所述无序石墨烯薄膜设于蒸镀有所述电极的所述SiO₂衬底的端面上；

（3）在所述氮化硼-无序石墨烯薄膜上进行甩膜得到PMMA层，然后依次经电子束曝光和刻蚀得到与所述电极相对应的结构，至此即得电子热辐射探测计。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氮化硼-无序石墨烯薄膜是按照包括如下步骤的方法制备的：在800℃～1200℃的条件下，以NH₃BH₃为先驱物在衬底上生长所述单层氮化硼薄膜；然后在800℃～1200℃的条件下，碳源在所述单层氮化硼薄膜上进行生长，控制H₂和Ar的流速分别为10sccm～30sccm和40sccm～60sccm，生长压强为100Pa～150Pa，得到所述无序石墨烯薄膜，至此即得到所述氮化硼-无序石墨烯薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述碳源为苯甲酸；

所述氮化硼-无序石墨烯薄膜生长在一Cu箔衬底上。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述电子束曝光的条件如下：加速电压为10KV～30KV，光阑为15～50μm，束斑大小为1～5，曝光剂量为160～400μC/cm²；

所述显影所用的显影液为甲基异丁酮与异丙醇的混合液。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述电极为Au电极或Ti/Au电极；

所述图形为六电极结构。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，在将所述氮化硼-无序石墨烯薄膜转移到所述SiO₂衬底上之前，在所述氮化硼-无序石墨烯薄膜上制备PMMA层作为保护层。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所电子束曝光的条件如下：加速电压为10KV～30KV，光阑为15～50μm，束斑大小为1～5，曝光剂量为160～400μC/cm²。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所述刻蚀的条件为：在15sccm的空气等离子体刻蚀30s～60s。

9.权利要求1-8中任一项所述方法制备的电子热辐射探测计。