[发明专利]一种低功耗晶体振荡器整形电路有效
| 申请号： | 201310434008.4 | 申请日： | 2013-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN103490729A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张文杰;谢亮;金湘亮 | 申请（专利权）人： | 湘潭芯力特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B28/00 | 分类号： | H03B28/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411104 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 晶体振荡器 整形 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种低功耗晶体振荡器整形电路，其特征在于：包括多个PMOS管与多个NMOS管，其中第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的栅极连接形成信号输入端，第一PMOS管与第一NMOS管的漏极连接，并且连至第二PMOS管和第二NMOS管的栅极，第二PMOS管与第二NMOS管的漏极连接，并且连至第四PMOS管和第四NMOS管的栅极，形成信号输出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏极与第一POMS管的源极连接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏极与第一NMOS管的源极连接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极连接形成电源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源极连接形成电源地，第二PMOS管与第二NMOS管形成第一反向器。
2. 如权利要求1所述的一种低功耗晶体振荡器整形电路，其特征在于：所述第一反向器为奇数个反向器的串联。
3. 如权利要求1所述的一种低功耗晶体振荡器整形电路，其特征在于：所述电源端为供电电源输入端或为电源转换电路输出端。
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