[发明专利]制作高均匀度栅极线条的方法

权利要求书

1.一种制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于包括：

第一步骤：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻胶；

第二步骤：执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；

第三步骤：在与第二步骤的显影过程相同的同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布含有胺类化合物和/或多胺类化合物的固化材料，交联固化第一光刻胶中的第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；

第四步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；

第五步骤：完成曝光和显影在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；

第六步骤：以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；

第七步骤：以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的旋涂碳薄膜，最终在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条的结构。

2.根据权利要求1所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶可选用可形成硬膜的光刻胶；优选的，第一光刻胶是含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷中的一种的光刻胶；优选地，第一光刻胶的硅含量范围为大于或等于15wt%，优选地大于或等于30wt%。

3.根据权利要求1或2所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶和第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于或等于1.5:1。

4.根据权利要求1或2所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，固化材料的主要成分为胺类化合物和/或多胺类化合物；优选的，胺类化合物和/或多胺类化合物的浓度范围为0.1wt%至100wt%，进一步优选的，0.5%至10wt%。

5.根据权利要求1或2所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，固化材料的其他成分可以包括但交联催化剂和表面活性剂;

交联催化剂的材料选择是基于交联反应活性要求；优选的，交联催化剂是溶于有机溶剂的非亲核型叔胺，其浓度范围为0.1wt%至20wt%,优选的，0.5%至5wt%;优选的，表面活性剂是溶于有机溶剂的非离子型表面活性剂，其浓度范围为50ppm至10000ppm，优选的，100ppm至1000ppm。

6.根据权利要求1或2所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第三步骤中断加热温度的范围为30℃至180℃，优选的，50℃至120℃。

7.根据权利要求1或2所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，旋涂碳薄膜的厚度为20纳米至300纳米，优选的，旋涂碳薄膜的厚度为50纳米至250纳米。

8.根据权利要求1或2所述的制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，旋涂碳薄膜的碳含量范围为大于或等于60wt%，优选的，大于或等于70wt%。