[发明专利]一种阵列基板及其制备方法与显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层，其特征在于，还包括：

形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极层在所述衬底基板上的水平投影区域分别与所述像素电极层在所述衬底基板上的水平投影区域以及所述半导体层在所述衬底基板上的水平投影区域存在重叠。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线的图案，所述层间介电层以及栅极绝缘层内形成有分别用于将所述源极、漏极与所述半导体层电连接的源极过孔以及漏极过孔。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述公共电极层由透明导电材料制备而成。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述透明导电材料为氧化锡铟。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～6任一所述的阵列基板。

8.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成公共电极层；

在所述公共电极层上依次形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层。

9.如权利要求8所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

所述公共电极层在所述衬底基板上的水平投影区域分别与所述像素电极层在所述衬底基板上的水平投影区域以及所述半导体层在所述衬底基板上的水平投影区域存在重叠。

10.如权利要求8或9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏金属层包括源极、漏极和数据线的图案；在形成所述层间介电层之后，且在形成所述源漏金属层之前，所述方法还包括：

在所述层间介电层以及栅极绝缘层内形成分别用于将所述源极、漏极与所述半导体层电连接的源极过孔以及漏极过孔。