[发明专利]半导体IC内藏基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体IC内藏基板及其制造方法，特别是涉及一种超薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。

背景技术

在一般的印制基板中，在基板的表面安装有多个半导体IC等电子器件，并经由基板内部的配线层来进行这些电子器件之间的连接。然而，由于这种类型的印制基板要对整体厚度实施减薄是困难的，因此作为面向智能手机等要求薄型化的设备的印制基板，有时使用将半导体IC埋入到树脂层的类型的半导体IC内藏基板（参照专利文献1）。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2002-246761号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，专利文献1所记载的半导体IC内藏基板由于将半导体IC容纳于设置在芯层（内层）的凹部，因此在半导体IC的下部也存在有芯层（内层）。因此，要进一步减薄整体厚度是困难的。虽然为了进一步减薄整体厚度可以考虑削除位于半导体IC下部的芯层，但在这种情况下，导致不能够正确地保持半导体IC。

因此，本发明的目的在于提供一种更薄型的半导体IC内藏基板及其制造方法。

解决技术问题的手段

本发明所涉及的半导体IC内藏基板，其特征在于，具备树脂基板、以及埋入到所述树脂基板的半导体IC，所述树脂基板包含芯材浸渍于规定的树脂而成的芯部、以及以在平面上看被所述芯部包围的形式贯通所述芯部而设置的容纳部，所述半导体IC埋入到填充在所述容纳部的所述规定的树脂。

根据本发明，半导体IC被埋入到贯通芯部而设置的容纳部，因而在半导体IC的上下不存在芯部。因此，可以将整体厚度做得很薄。而且，由于浸渍芯部的树脂和填充在容纳部的树脂相同，因此不会发生起因于热膨胀系数之差等的变形等。

在本发明中，优选地，还具备形成在所述树脂基板的一个表面并与所述半导体IC的外部端子相连接的配线层、以及覆盖所述配线层的抗蚀膜。据此，可以用简单的构造来将半导体IC的外部端子连接于外部。

在本发明中，优选地，在所述树脂基板的另一个表面不设置配线层。据此，配线层仅为1层，因而可以进一步减薄整体厚度。

在本发明中，优选地，所述树脂基板的厚度中，所述容纳部比所述芯部薄，由此所述树脂基板的所述一个或另一个表面在所述容纳部具有凹陷的形状。据此，可以在内藏有半导体IC的部分进一步减薄树脂基板的厚度。

在本发明中，优选地，所述半导体IC具有设置有外部端子的主面、以及位于与所述主面相反的侧的背面，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方的一部分用粘接剂覆盖，剩余的部分用所述规定的树脂覆盖。或者，所述半导体IC的所述主面和所述背面的一方仅一部分用所述规定的树脂覆盖，所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖。由此，由于半导体IC上下的热膨胀系数之差变小，因此在半导体IC难以发生翘曲或开裂。

在此情况下，优选地，所述半导体IC的所述主面和所述背面的另一方整个面用所述规定的树脂覆盖，特别更优选地，所述半导体IC的侧面不存在用所述粘接剂覆盖的部分。据此，可以切实地保护半导体IC并且防止半导体IC的翘曲或开裂。另外，可以在制造过程中防止粘接剂附着于用于处理半导体IC的安装机的头部分。

本发明所涉及的半导体IC内藏基板的制造方法，其特征在于，具备：第1工序，准备芯材浸渍于未硬化状态的树脂而成并具有以在平面上看被所述芯材和所述树脂包围的形式贯通它们而设置的贯通孔的预浸料坯；第2工序，将半导体IC容纳于所述贯通孔；以及第3工序，通过按压所述预浸料坯而使所述树脂的一部分流入到所述贯通孔，由此由所述流入的树脂将容纳在所述贯通孔的所述半导体IC埋入。

根据本发明，在半导体IC的上下没有芯材的状态下，由树脂将半导体IC埋入，因而可以得到在半导体IC上下不存在芯部的构造。而且，由于浸渍于芯材的树脂和将半导体IC埋入的树脂相同，因此也不会发生起因于热膨胀系数之差等的变形等。

在本发明中，优选地，所述第2工序包含将在载体上搭载所述半导体IC的工序、以所述半导体IC位于所述贯通孔的形式在所述载体贴附所述预浸料坯的工序。据此，可以正确地处理非常薄的预浸料坯并进行按压。

优选地，搭载所述半导体IC的工序包含在所述载体贴附第1金属箔的工序、在所述第1金属箔上涂布粘接剂的工序、以及通过在所述粘接剂上搭载所述半导体IC而在所述第1金属箔粘接所述半导体IC的工序。据此，第1金属箔介于载体与半导体IC之间，因而载体的操作容易。