[发明专利]一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法有效
申请号: | 201310431420.0 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN104465450B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 万磊;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张静洁,包姝晴 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 冷却 静电 吸盘 供气 装置 方法 | ||
1.一种用于冷却静电吸盘的供气装置,所述静电吸盘(2)位于真空处理室(1)内的底部,对放置在该静电吸盘(2)上的基片(3)进行固定支持;其特征在于,所述供气装置包含有第一气路和第二气路;
所述第一气路将具有第二压力的第一工艺气体(40)输送到真空处理室(1)内,来对基片(3)表面进行反应处理;
所述静电吸盘(2)中开设有若干气体通道;所述第二气路将具有第一压力的第二工艺气体(80,80’)作为冷却气体,至少输送到位于静电吸盘(2)边缘的相应气体通道中,使得所述第二工艺气体(80,80’)能够流入基片(3)背面与静电吸盘(2)顶面之间的空隙,以便于对基片(3)进行传热冷却;
其中,所述第二工艺气体(80,80’)是只包含所述第一工艺气体(40)成分的反应气体或者是所述反应气体与稀释气体的混合气体;所述第二工艺气体(80,80’)具有的第一压力高于所述第一工艺气体(40)具有的第二压力。
2.如权利要求1所述的供气装置,其特征在于,
所述第一气路设有前段管路,将具有第一压力的反应气体输送到分流器(7),由分流器(7)转换形成一路具有第二压力的所述第一工艺气体(40);所述第一气路还设有后段管路,将所述第一工艺气体(40)输送到所述真空处理室(1)内;
所述第二气路连接至所述第一气路的前段管路,以便于将从所述反应气体中分出一路具有第一压力的气体作为所述第二工艺气体(80),并通过所述第二气路输送到静电吸盘(2)。
3.如权利要求2所述的供气装置,其特征在于,
通过一个旁支气路连接至所述第二气路,向经由所述第二气路输送的一路反应气体中混入稀释气体后的气体作为所述第二工艺气体(80’)。
4.如权利要求3所述的供气装置,其特征在于,
所述稀释气体是惰性气体或活性气体。
5.如权利要求4所述的供气装置,其特征在于,
所述惰性气体是氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氮气中的任意一种或其任意组合。
6.如权利要求4所述的供气装置,其特征在于,
所述活性气体是含氧气体。
7.如权利要求3所述的供气装置,其特征在于,
所述第二气路上设置有对所述第二工艺气体(80、80’)输送时的压力或流量进一步进行控制调节的装置。
8.如权利要求3所述的供气装置,其特征在于,
所述静电吸盘(2)直径等于或大于基片(3)的直径;
所述静电吸盘(2)设有中心区域(91),以及围绕着所述中心区域(91)的边缘区域(92);所述静电吸盘(2)的气体通道中,包含位于中心区域(91)的若干组第一通道(51),和位于边缘区域(92)的若干组第二通道(52);
所述第二通道(52)将所述第二工艺气体(80、80’)输送至基片(3)背面的边缘位置,并且所述第一通道(51)将氦气输送至基片(3)背面的中心位置来进行传热冷却;或者,所述第一通道(51)和第二通道(52)都输送所述第二工艺气体(80、80’),以便于对基片(3)的整个背面进行传热冷却。
9.如权利要求8所述的供气装置,其特征在于,
通过第二通道(52)输送所述第二工艺气体(80、80’)时的气体压力,大于通过第一通道(51)输送氦气时的气体压力。
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