[发明专利]一种新型的石墨烯电光调制器结构有效
申请号: | 201310431112.8 | 申请日: | 2013-09-22 |
公开(公告)号: | CN103439808A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 刘永;唐林峰;袁飞;叶胜威;唐雄贵 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;杨保刚 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 石墨 电光 调制器 结构 | ||
1.一种新型的石墨烯电光调制器结构,其特征在于,包括石墨烯脊型光波导、硅层和二氧化硅基片,二氧化硅基片上沉积所述硅层,再在硅层上平行设置两条石墨烯脊型光波导;所述石墨烯脊型光波导由两层厚度相等的硅波导层和二氧化硅基片构成,硅波导层制作在二氧化硅基片上,硅波导层间区域设有两层石墨烯层和三层氧化铝隔离层,从上而下的顺序为氧化铝隔离层、石墨烯层、氧化铝隔离层、石墨烯层、氧化铝隔离层。
2.根据权利要求1所述的新型的石墨烯电光调制器结构,其特征在于,所述石墨烯层的厚度为0.34纳米,氧化铝隔离层的厚度为7纳米。
3. 根据权利要求1所述的新型的石墨烯电光调制器结构,其特征在于,所述两条石墨烯脊型光波导的长度为80微米,其间的间距为300纳米。
4. 根据权利要求1所述的新型的石墨烯电光调制器结构,其特征在于,所述硅层、二氧化硅基片和氧化铝隔离层的介电常数分别为12.1、2.1和3。
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