[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，其特征在于，该层状结构为：依次层叠的玻璃基底、阳极层、散射层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层；所述散射层包括铯盐掺杂层与铜化合物掺杂层；其中，

所述铯盐掺杂层的材质包括铯盐与有机硅小分子，所述铜化合物掺杂层的材质包括铜化合物、空穴掺杂材料以及锌粉；

所述的有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1，3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；

所述的空穴掺杂材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或二萘基-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐与所述有机硅小分子的掺杂质量比为0.4:1~0.1:1；所述的铜化合物、所述空穴掺杂材料以及所述锌粉的掺杂质量比为2:10:0.1~10:20:0.1。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐为为氟化铯、碳酸铯、叠氮铯或氯化铯；所述的铜的化合物为碘化亚铜、氧化亚铜、酞菁铜或氧化铜。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8以上，可见光透过率为90%以上。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐掺杂层的厚度为40~80nm，所述铜化合物掺杂层的厚度为50~200nm。

6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述阳极层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；

所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；

所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）- N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺；

所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-联苯或8-羟基喹啉铝；

所述电子传输层的材质为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。

7.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（a）在玻璃基底上通过磁控溅射设备来制备阳极层；

（b）使用热阻蒸镀设备在步骤（a）制得的阳极层上制备铯盐掺杂层，然后使用电子束蒸镀设备在所述上制备铜化合物掺杂层，从而得到所述散热层；其中，

所述铯盐掺杂层的材质包括掺杂质量比为0.4:1~0.1:1的铯盐与有机硅小分子，所述铜化合物掺杂层的材质包括掺杂质量比为2:10:0.1~10:20:0.1的铜化合物、空穴掺杂材料以及锌粉；

所述的有机硅小分子为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1，3-双（三苯基硅）苯或p-双（三苯基硅）苯；

所述的空穴掺杂材料为2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-对苯二醌二甲烷、4，4，4-三（萘基-1-苯基-铵）三苯胺或二萘基-N，N′-二苯基-4，4′-联苯二胺；

（c）在步骤（b）制得的散射层上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，从而得到所述的有机电致发光器件。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（a）中磁控溅射设备的加速电压为300~800V，磁场为50~200G，功率密度为1~40 W/cm²。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（b）中，所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1~1nm/s，所述铯盐掺杂层的厚度为40~80nm；所述电子束蒸镀设备的电子束蒸镀能量密度为10~l00W/cm²，所述铜化合物掺杂层的厚度为50~200nm。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤（c）中，所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s，所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。