[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有隔离结构，且相邻隔离结构间的半导体衬底表面具有栅极结构；

对所述隔离结构进行稳定性掺杂，使得隔离结构的抗腐蚀能力增强；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；

在对所述隔离结构进行掺杂后，对所述凹槽进行清洗处理；

形成填充满所述凹槽的应力层；

所述凹槽的形状为sigma形；

所述凹槽的形成过程为：对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一刻蚀，形成预凹槽；对所述预凹槽进行第二刻蚀，形成所述凹槽；

在所述预凹槽形成之后，对所述隔离结构进行掺杂；或者，在所述预凹槽形成之前，对所述隔离结构进行第一掺杂，在所述预凹槽形成之后，对所述隔离结构进行第二掺杂。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂的离子为氮或碳。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺或等离子掺杂工艺进行所述掺杂。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺的具体工艺参数为：注入的离子为氮或碳，离子注入能量为200ev至3kev，离子注入剂量为1E13atom/cm²至2E15atom/cm²；所述等离子掺杂工艺的具体工艺参数为：源功率为200瓦至3000瓦，偏置能量为20ev至500ev。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述等离子掺杂工艺的反应气体为N₂或CO₂。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺进行所述第一刻蚀。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺进行所述第二刻蚀。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液体为氨水或四甲基氢铵溶液。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述预凹槽形成之前，对所述隔离结构进行掺杂。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为SiO₂。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液、等离子氟或SiCoNi工艺进行所述清洗处理。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在对所述隔离结构进行掺杂之后，还包括步骤：对所述半导体衬底进行退火处理。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用毫秒退火、尖峰退火或浸入式退火进行所述退火处理，其中，退火温度为400度至1100度，退火时间为400微秒至60秒。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe、SiGeB、SiC或SiCP。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成的半导体器件为NMOS晶体管、PMOS晶体管或CMOS晶体管。