[发明专利]芯片封装结构及形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干个芯片，每一个芯片包括芯片功能区和位于所述芯片功能区外侧的若干第一焊盘；

沿着待封装晶圆的切割道方向对待封装晶圆进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的宽度大于切割道的宽度；

在所述切割道两侧的沟槽底部表面形成第二焊盘，在所述待封装晶圆表面、沟槽的侧壁和底部表面形成连接第一焊盘和第二焊盘的金属互连层；

在所述第一焊盘和金属互连层表面形成钝化层，且所述钝化层暴露出第二焊盘表面；

在所述第二焊盘表面形成连接结构；

沿着切割道对待封装晶圆进行切割形成分立的芯片；

利用所述连接结构将所述分立的芯片与封装电路板固定连接。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述连接结构为锡球、铜柱或顶部表面具有金层的铜柱。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，当连接结构为铜柱时，形成所述铜柱的具体工艺为：在所述待封装晶圆表面形成具有通孔的掩膜层，所述通孔暴露出第二焊盘；利用电镀工艺在所述通孔内形成铜柱；去除所述掩膜层。

4.如权利要求2所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，当连接结构为顶部表面具有金层的铜柱时，形成所述顶部表面具有金层的铜柱的具体工艺为：在所述待封装晶圆表面形成具有通孔的掩膜层，所述通孔暴露出第二焊盘；利用电镀工艺在所述通孔内形成铜柱；利用电镀工艺或化学气相沉积工艺在所述铜柱的顶部表面形成金层；去除所述掩膜层。

5.如权利要求2或4所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，利用所述连接结构将分立的芯片与封装电路板固定连接的工艺为金属键合工艺。

6.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，当所述第一焊盘位于芯片功能区的两侧时，在每一个芯片具有第一焊盘的两侧的切割道对应位置形成沟槽；当所述第一焊盘位于芯片功能区的四周时，在每一个芯片具有第一焊盘的四周的切割道对应位置形成沟槽。

7.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述连接结构的高度小于所述沟槽的深度。

8.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的深度等于所述连接结构的高度和封装电路板的厚度之和。

9.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的深度范围为50微米～200微米。

10.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其特征在于，所述封装电路板为印刷电路板或柔性电路板。

11.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片和封装电路板；所述芯片包括芯片功能区、位于所述芯片功能区外侧的若干第一焊盘和位于芯片边缘的沟槽，位于所述沟槽底部表面的第二焊盘，所述第二焊盘与第一焊盘之间通过金属互连层电连接，覆盖所述金属互连层、第一焊盘且暴露出第二焊盘的钝化层，位于所述第二焊盘表面的连接结构；通过所述连接结构将芯片和封装电路板固定连接。

12.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述连接结构为锡球、铜柱或顶部表面具有金层的铜柱。

13.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，当所述第一焊盘位于芯片功能区的两侧时，所述沟槽位于每一个芯片的具有第一焊盘的两侧边缘；当所述第一焊盘位于芯片功能区的四周时，所述沟槽位于每一个芯片的具有第一焊盘的四周边缘。

14.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装电路板为印刷电路板或柔性电路板。

15.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述连接结构的高度小于所述沟槽的深度。

16.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述沟槽的深度等于所述连接结构的高度和封装电路板的厚度之和。

17.如权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述沟槽的深度范围为50微米～200微米。