[发明专利]一种氰酸酯树脂薄膜的制备方法及其反应设备

权利要求书

1.一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法，其特征在于：采用氰酸酯树脂单体通过等离子体聚合生成氰酸酯树脂超薄膜；所述制备方法的主要步骤包括：

1）基片（14）预处理；

2）氰酸酯树脂单体（8）预处理；

3）氰酸酯树脂单体（8）等离子体聚合在基片（14）上：所述等离子体聚合条件为压力5～20Pa、等离子体脉冲宽度为20～100s、等离子体聚合功率为15～85W、等离子体聚合时间为20～100min。

2.根据权利要求１所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法，其特征在于所述基片（14）为重掺杂的p-型硅晶片。

3.根据权利要求１所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法，其特征在于所述基片（14）预处理方式为：抽取主反应室（1）内的气体至气压为2Pa，然后向主反应室（1）通入高纯氩气至气压为80Pa，重复抽放气体三次，调节主反应室（1）压力为20Pa，在放电功率80W的条件下，用氩气等离子体对基片处理3分钟。

4.根据权利要求１所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法，其特征在于所述氰酸酯树脂单体（8）的分子结构式为：                                                ，其中。

5.根据权利要求1所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法，其特征在于所述氰酸酯树脂单体（8）预处理方式为：抽取副反应室（3）内的气体至气压为2Pa，然后向副反应室（3）通入高纯氮气至气压为80Pa，重复抽放气体三次，调节副反应室（3）氮气压力为20Pa，并将单体导入到主反应室中。

6.根据权利要求１所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法，其特征在于所述等离子体聚合步骤为：向联通的主副反应室通入高纯氮气，调整反应室内氮气压力；接通电源，调整等离子体聚合放电参数条件，开始放电，放电时间达到所需时间后，关闭电源停止放电，继续通入高纯氮气至其压力达到标准大气压，并在此条件下保持1小时。

7.一种根据权利要求1所述的氰酸酯树脂超薄膜的制备方法所用的反应设备，其特征在于包括主反应室（1）和副反应室（3），两反应室并排安装，两反应室间能通断变换；所述主反应室（1）为等离子体聚合反应室，主反应室（1）上下壁上分别固定上电极（13）和下电极（15），两电极相对安装，上电极（13）和下电极（15）两端与脉冲射频电源（16）相连；所述副反应室（3）内包括单体导入装置；所述主反应室（1）和副反应室（3）均连有气体抽吸装置、气体供给装置和真空计。

8.根据权利要求7所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法所用的反应设备，其特征在于所述主反应室（1）和副反应室（3）左右一体式安装，主反应室（1）和副反应室（3）中间由可移动挡板（10）隔开。

9.根据权利要求7所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法所用的反应设备，其特征在于所述单体导入装置包括推杆（4）和单体托盘（7），单体托盘（7）固定在推杆（4）的前端，推杆（4）通过密封圈（5）实现与副反应室（3）间的密封；所述副反应室（3）的气体抽吸装置和气体供给装置分别为机械泵（2）和氮气瓶（6），并装有真空计（9），三者均安装在副反应室（3）腔壁上。

10.根据权利要求7所述的一种氰酸酯树脂超薄膜的制备方法所用的反应设备，其特征在于所述主反应室（1）的气体抽吸装置和气体供给装置分别为有机械泵（17）和氩气瓶（11），并装有真空计（12），三者均安装在主反应室（1）的腔壁上。