[发明专利]像素结构、显示面板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310428499.1 申请日: 2013-09-17
公开(公告)号: CN103439841A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 李锡烈 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构 显示 面板 及其 制作方法
【说明书】:

【技术领域】

发明是关于一种像素结构、显示面板及其制作方法,尤指一种使用具有半导体部分与导体部分的图案化氧化物电极层的像素结构、显示面板及其制作方法。

【背景技术】

液晶显示面板(LCD)由于具有轻薄短小、良好的显示品质以及低耗电量等优点,已广泛地应用在各式显示装置上。然而,已知液晶显示面板例如扭转向列型(twisted nematic,TN)液晶显示面板由于具有视角狭窄的缺点,使得其应用范围受到限制。

为了解决扭转向列型液晶显示面板的视角狭窄问题,业界研发出了几种广视角液晶显示面板,例如平面切换型(in-plane switching,IPS)液晶显示面板与边缘电场切换型(fringe field switch,FFS)液晶显示面板。已知平面切换型液晶显示面板虽然具有较广视角,然而其像素电极与共通电极所对应的区域无法透光,因此会使得开口率与透光量减少。已知边缘电场切换型液晶显示面板相较于平面切换型液晶显示面板虽具有较高的透光量,但其使用图案化像素电极与图案化共通电极两层图案化导电层,会增加制造成本与复杂度。此外,图案化像素电极会使得位于其上的配向膜产生摩擦缺陷(rubbing mura),产生亮度不均的问题。

【发明内容】

本发明的目的的一在于提供一种像素结构、显示面板及其制作方法,以简化制程步骤及成本并提高显示画面的亮度均匀度。

本发明的一实施例提供一种像素结构,设置于一第一基板上。像素结构包括一有源开关元件、一图案化共通电极层、一绝缘层、一图案化氧化物电极层以及一图案化保护层。有源开关元件设置于第一基板上。图案化共通电极层设置于第一基板上。绝缘层设置于第一基板上,并覆盖图案化共通电极层。图案化氧化物电极层,设置于绝缘层上并电性连接有源开关元件。图案化氧化物电极层包括一半导体部分以及一导体部分。半导体部分与图案化共通电极层在一垂直投影方向上大体上重叠,导体部分与半导体部分彼此连接并与图案化共通电极层在垂直投影方向上大体上不重叠,且导体部分构成一像素电极。图案化保护层设置于图案化氧化物电极层上并覆盖图案化氧化物电极层的半导体部分,且图案化保护层具有一开口,暴露出图案化氧化物电极层的导体部分。

本发明的另一实施例提供一种显示面板,包括一第一基板、一有源开关元件、一图案化共通电极层、一绝缘层、一图案化氧化物电极层、一图案化保护层、一第二基板以及一显示介质。有源开关元件设置于第一基板上。图案化共通电极层设置于第一基板上。绝缘层设置于第一基板上,并覆盖图案化共通电极层。图案化氧化物电极层,设置于绝缘层上并电性连接有源开关元件。图案化氧化物电极层包括一半导体部分以及一导体部分。半导体部分与图案化共通电极层在一垂直投影方向上大体上重叠,导体部分与半导体部分彼此连接并与图案化共通电极层在垂直投影方向上大体上不重叠,且导体部分构成一像素电极。图案化保护层设置于图案化氧化物电极层上并覆盖图案化氧化物电极层的半导体部分,且图案化保护层具有一开口,暴露出图案化氧化物电极层的导体部分。第二基板与第一基板面对设置。显示介质设置于第一基板与第二基板之间。

本发明的又一实施例提供一种像素结构的制作方法,包括下列步骤。提供一第一基板。于第一基板上形成一图案化共通电极层。于第一基板上形成一绝缘层覆盖图案化共通电极层。于绝缘层上形成一图案化氧化物电极层与一图案化保护层。图案化氧化物电极层包括一半导体部分与图案化共通电极层在一垂直投影方向上大体上重叠,以及一导体部分与半导体部分彼此连接并与图案化共通电极层在垂直投影方向上大体上不重叠,且导体部分构成一像素电极。图案化保护层覆盖半导体部分,且图案化保护层具有一开口,暴露出导体部分。于第一基板上形成一有源开关元件,且图案化氧化物电极层电性连接有源开关元件。

本发明的像素结构与显示面板利用图案化氧化物电极层的导体部分作为像素电极,可以有效提升穿透率以及显示画面的亮度均匀性。

【附图说明】

图1绘示了本发明的一实施例的像素结构的上视图。

图2为本实施例的像素结构沿剖线A-A’、剖线B-B’与剖线C-C’所绘

示的剖视图。

图3绘示了本发明的一实施例的显示面板的示意图。

图4绘示了本发明的像素结构的制作方法的流程图。

图5至图9绘示了本发明的一实施例的像素结构的制作方法的示意图。

图10绘示了本发明的像素结构的图案化共通电极层与图案化氧化物电极层的局部示意图。

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