[发明专利]晶圆级封装方法有效
| 申请号： | 201310425771.0 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465411B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 何作鹏;赵洪波;沈哲敏;张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 方法 | ||
1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：
提供晶圆及基板，所述晶圆具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；
将所述晶圆的第一表面与所述基板粘接在一起；
在所述晶圆的第二表面形成隔绝层；
对所述隔绝层进行激光热退火处理；
在所述隔绝层上形成金属互连线和焊盘，所述金属互连线与所述焊盘电连接；
在所述隔绝层和所述焊盘上形成钝化层，所述钝化层暴露至少部分所述焊盘；
在所述焊盘上形成凸块下金属层；
在所述凸块下金属层上形成焊球。
2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述隔绝层的材料包括低温氧化物，所述低温氧化物的厚度范围包括
3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述低温氧化物包括二氧化硅，所述激光热退火处理采用的激光为近紫外光，所述近紫外光的能量为9eV。
4.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述激光热退火处理的对所述晶圆的处理时间范围包括1min～2min。
5.如权利要求4所述的晶圆级封装方法，其特征在于，对所述隔绝层进行所述激光热退火处理时，所述隔绝层的温度范围包括600℃～900℃。
6.如权利要求5所述的晶圆级封装方法，其特征在于，对所述隔绝层进行所述激光热退火处理时，所述晶圆的温度范围控制在200℃以下。
7.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法在所述晶圆的第二表面形成所述隔绝层。
8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆的第一表面制作有感光阵列单元。
9.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述基板为玻璃基板。
10.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，采用胶粘剂将所述晶圆的第一表面与所述基板粘接在一起，所述胶粘剂为有机胶粘剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
