[发明专利]电熔丝及其制造方法

权利要求书

1.一种电熔丝，包含有：

正极，形成在半导体衬底上；

负极，形成在半导体衬底上；

熔断片，将正极和负极相互连接；

第一接触点，形成在正极上；

第二接触点，形成在负极上且被布置为比第一接触点更接近熔断片，

其中，第二接触点被布置为与距负极的远离熔断片的边缘相比更靠近负极的接近熔断片的边缘，使得第二接触点不对称地设置在负极，

通过熔断片的虚拟延伸线定义的区域上没有形成接触点，所述区域从负极的远离熔断片的边缘延伸到正极的远离熔断片的边缘。

2.根据权利要求1所述的电熔丝，其中，所述熔断片被布置在正极和负极之间。

3.根据权利要求1所述的电熔丝，其中，所述负极包括与熔断片连接的负极一侧的横向的宽度相等的三个区域，且第二接触点形成在宽度相等的三个区域中最接近熔断片的区域。

4.根据权利要求1所述的电熔丝，其中，所述正极、负极和熔断片是半导体部和金属硅化物部的沉积结构。

5.根据权利要求4所述的电熔丝，其中，所述半导体部是掺杂或无掺杂的多晶硅。

6.根据权利要求4所述的电熔丝，其中，所述金属硅化物部包括选自Ti、Co、Ni、Ta、Al、Zr、Hf、W、Pt、Pd、Mo的金属原子以及他们的组合。

7.根据权利要求4所述的电熔丝，其中，所述金属硅化物部的厚度为20nm至50nm。

8.根据权利要求1所述的电熔丝，所述电熔丝还包括：在正极上形成的第一组接触点和在负极上形成的第二组接触点，其中，第一组接触点包括两个或更多个接触点，且第一接触点是第一组接触点的两个或更多个接触点中的一个，第二组接触点包括两个或更多个接触点，且第二接触点是第二组接触点的两个或更多个接触点中的一个。

9.根据权利要求1所述的电熔丝，其中，在正极上形成的第一接触点设置在硅化物损失区域之外。

10.一种制造电熔丝的方法，所述方法包含有：

在衬底上形成半导体层；

通过使半导体层图案化来形成第一、第二和第三半导体部；

通过在第一、第二和第三半导体部上分别形成第一、第二和第三金属硅化物部，从而形成正极、负极以及使正极和负极相互连接的熔断片；

在正极上形成第一接触点；

在负极形成第二接触点，

其中，第二接触点被布置为与距负极的远离熔断片的边缘相比更靠近负极的接近熔断片的边缘，使得第二接触点不对称地设置在负极，

通过熔断片的虚拟延伸线定义的区域上没有形成接触点，所述区域从负极的远离熔断片的边缘延伸到正极的远离熔断片的边缘。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述熔断片被布置在正极和负极之间。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述负极包括与熔断片连接的负极一侧的横向的宽度相等的三个区域，且第二接触点形成在宽度相等的三个区域中最接近熔断片的区域。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述正极、负极和熔断片由第一、第二和第三半导体部以及第一、第二和第三金属硅化物部的沉积结构形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一、第二和第三半导体部是掺杂或无掺杂的多晶硅。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一、第二和第三半导体部形成为单个主体。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一、第二和第三金属硅化物部包括选自由Ti、Co、Ni、Ta、Al、Zr、Hf、W、Pt、Pd、Mo构成的组群的金属原子以及他们的组合。

17.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：在正极上形成的第一组接触点和在负极上形成的第二组接触点，其中，第一组接触点包括两个或更多个接触点，且第一接触点是第一组接触点的两个或更多个接触点中的一个，第二组接触点包括两个或更多个接触点，且第二接触点是第二组接触点的两个或更多个接触点中的一个。

18.根据权利要求10所述的方法，其中，在正极上形成的第一接触点设置在硅化物损失区域之外。