[发明专利]可控硅静电保护器件有效
| 申请号： | 201310424584.0 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103515381A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;吴霜毅;张铎;董华;顾野;徐艳飞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可控硅 静电 保护 器件 | ||
1.可控硅静电保护器件，包括可控硅静电保护器件本体，其特征在于，还包括阻变器件及可调电源，所述阻变器件与可调电源并联，并连接在可控硅静电保护器件本体的栅极与阴极之间。
2.根据权利要求1所述可控硅静电保护器件，其特征在于，所述阻变器件为忆阻器。
3.可控硅静电保护器件，包括可控硅静电保护器件本体，其特征在于，还包括阻变器件及可调电源，所述阻变器件与可调电源并联，并连接在可控硅静电保护器件本体的栅极与阳极之间。
4.根据权利要求3所述可控硅静电保护器件，其特征在于，所述阻变器件为忆阻器。
5.可控硅静电保护器件，包括可控硅静电保护器件本体，其特征在于，还包括阻变器件及可调电源，所述阻变器件与可调电源并联，并连接在可控硅静电保护器件本体的PNP三极管基极或NPN三极管集电极与阳极之间。
6.根据权利要求5所述可控硅静电保护器件，其特征在于，所述阻变器件为忆阻器。
7.双向可控硅静电保护器件，包括第一可控硅静电保护器件与第二可控硅静电保护器件，其特征在于，所述第一可控硅静电保护器件为权利要求1或2或3或4或5或6或7所述的可控硅静电保护器件，第二可控硅静电保护器件为与第一可控硅静电保护器件相同的可控硅静电保护器件，第一可控硅静电保护器件的阴极与第二可控硅静电保护器件的阳极连接作为第一主电极，第一阻变器件的阳极与第二阻变器件的阴极连接作为第二主电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
