[发明专利]基于多狭缝阵列的超分辨光谱仪有效

专利信息
申请号: 201310424250.3 申请日: 2013-09-17
公开(公告)号: CN103471717A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 郝鹏;吴一辉;迟明波;刘永顺 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G01J3/36 分类号: G01J3/36;G01J3/04
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人: 王丹阳
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 基于 狭缝 阵列 分辨 光谱仪
【权利要求书】:

1.基于多狭缝阵列的超分辨光谱仪,其特征在于,由入射狭缝(1)、准直镜(2)、光栅(3)、聚焦镜(4)、光电探测器(5)和与所述光电探测器(5)相连的计算机(6)组成;所述入射狭缝(1)为N阶阵列狭缝,所述入射狭缝(1)对入射光线进行空间滤波,使入射光线宽度按照光学系统要求的宽度入射到准直镜(2)上,光线依次经过准直镜(2)准直、光栅(3)分光、聚焦镜(4)聚焦后成像在光电探测器(5)上,在垂直于光谱维方向上获得N幅具有亚像元位移的低分辨率光谱图,计算机(6)对光电探测器(5)采集的光谱图信息进行信息融合,利用递推算法求取亚像元值从而构建出一幅高分辨率的光谱图,其中,所述N为正整数且N≥2。

2.根据权利要求1所述的基于多狭缝阵列的超分辨光谱仪,其特征在于,所述入射狭缝(1)采用半导体硅材料或玻璃材料通过微机械工艺制作而成。

3.根据权利要求1所述的基于多狭缝阵列的超分辨光谱仪,其特征在于,所述光电探测器(5)采用面阵CCD、CMOS面阵成像探测器或InGaAs面阵成像探测器。

4.根据权利要求1所述的基于多狭缝阵列的超分辨光谱仪,其特征在于,所述光电探测器(5)上垂直于光谱维方向上的阵列数为N的整数倍,N为正整数且N≥2。

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