[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：

第一导电类型的第一阱；

形成于所述第一阱内的第二导电类型的源极；

形成于所述第一阱内并与所述源极分开的所述第二导电类型的漂移区；

形成于所述漂移区内的所述第二导电类型的漏极；及

形成于所述漂移区内并与所述漏极分开的所述第二导电类型的集中器，所述集中器至所述源极的第一距离小于所述漏极至所述源极的第二距离。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述集中器为所述第二导电类型的岛区域。

3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

形成于所述漂移区内并位于所述集中器和所述漏极之间的窗，所述窗构成耦合于所述集中器和所述漏极之间的电阻。

4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述漏极包括两个漏极区域，所述集中器形成于所述两个漏极区域之间。

5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述集中器的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。

6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

形成于所述第一阱内并低于所述漂移区的所述第二导电类型的第二阱。

7.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括：

形成于所述第一阱和所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管的衬底之间的所述第二导电类型的埋层，所述第二阱的边界延伸至所述埋层，所述埋层和所述第二阱将所述第一阱和所述第一导电类型的其他区域分开。

8.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述第二阱的第一边界至所述集中器的第二边界的第一水平距离小于所述漂移区的第三边界至所述第二边界的第二水平距离。

9.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述第二阱的掺杂浓度低于所述漂移区的掺杂浓度。

10.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述集中器包括多个所述第二导电类型的各自分开的岛区域。

11.一种制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在第一导电类型的第一阱内形成第二导电类型的源极；

在所述第一阱内形成所述第二导电类型的漂移区，所述漂移区与所述源极分开；

在所述漂移区内形成所述第二导电类型的漏极；及

在所述漂移区内形成所述第二导电类型的集中器，所述集中器与所述漏极分开，所述集中器至所述源极的第一距离小于所述漏极至所述源极的第二距离。

12.根据权利要求11所述的制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：在所述第一阱内低于所述漂移区处形成所述第二导电类型的第二阱。

13.根据权利要求12所述的制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

在所述横向扩散金属氧化物半导体晶体管的衬底上方形成所述第二导电类型的埋层；以及

在所述埋层上方形成所述第一阱；

其中，所述第二阱的边界延伸至所述埋层，所述埋层和所述第二阱将所述第一阱和所述第一导电类型的其他区域分开。

14.根据权利要求12所述的制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述第二阱的第一边界至所述集中器的第二边界的第一水平距离小于所述漂移区的第三边界至所述第二边界的第二水平距离。

15.根据权利要求11所述的制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

在所述漂移区内所述集中器和所述漏极之间形成窗，所述窗构成耦合于所述集中器和所述漏极之间的电阻。

16.根据权利要求11所述的制造横向扩散金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，所述漏极包括两个漏极区域，所述集中器形成于所述两个漏极区域之间。