[发明专利]激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法待测碳化硅粉体样品的前处理方法有效
| 申请号： | 201310422724.0 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103471890A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 汪正;周慧;朱燕;李青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 剥蚀 电感 耦合 等离子 体质 谱法待测 碳化硅 样品 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅粉体样品的前处理方法，其特征在于，通过所述前处理方法将所述碳化硅粉体样品制成适合通过激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定的块状样品，所述前处理方法包括：
（1）将碳化硅粉末研磨后过筛；
（2）直接使用手动压片机将过筛后的碳化硅粉末压成圆片，其中压力为8～12Mpa，保压时间为30～50秒；
（3）将所述圆片程序升温至1000℃保温烧结2小时；以及
（4）程序降温至室温。
2.根据权利要求1所述的前处理方法，其特征在于，在步骤（2）中，压力为10Mpa，保压时间为30秒。
3.根据权利要求1或2所述的前处理方法，其特征在于，在步骤（3）中，所述程序升温包括：
以4～6℃/分钟的升温速率从室温升温至500℃，再以5～6℃/分钟的升温速率从500℃升温至1000℃。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的前处理方法，其特征在于，在步骤（4）中，所述程序降温包括：
以5～6℃/分钟的降温速率从1000℃降温至500℃，再以4～6℃/分钟的升温速率从500℃降温至室温。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的前处理方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述筛为200目以上的筛。
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