[发明专利]半导体装置

说明书

本发明公开一种半导体装置。半导体装置包括一主动鳍片区(active fin region)、至少一栅极条以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)。主动鳍片区包括至少一主动鳍片(active fin)。栅极条形成于主动鳍片区上，并延伸跨过主动鳍片。虚拟鳍片区形成于主动鳍片区的两侧，虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，虚拟鳍片形成于栅极条的两侧。

技术领域

本发明内容涉及一种半导体装置，且特别是涉及一种具有虚拟鳍片区(dummy finregion)的半导体装置。

背景技术

由于集成电路的尺寸减小，对于具有高驱动电流及小尺寸的晶体管的需求增加，因而研发出鳍式场效晶体管(fin field-effect，finFET)。鳍式场效晶体管的通道形成于鳍片的侧壁和顶表面上，使得鳍式场效晶体管具有较大的通道宽度，进而可以增加晶体管的驱动电流。因此，随着鳍式场效晶体管的应用增加，便更加需要开发具有良好特性及改良结构的鳍式场效晶体管。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置中的虚拟鳍片形成于主动鳍片区的两侧，使得主动鳍片区可以受到保护，而不会在制作工艺中受到蚀刻损害，因而使得主动鳍片区可以具有更良好的边缘轮廓(edge profile)。

为达上述目的，本发明提出的一种半导体装置，包括一主动鳍片区(active finregion)、至少一栅极条以及一虚拟鳍片区(dummy fin region)。主动鳍片区包括至少一主动鳍片(active fin)。栅极条形成于主动鳍片区上，并延伸跨过主动鳍片。虚拟鳍片区形成于主动鳍片区的两侧，虚拟鳍片区包括多个虚拟鳍片(dummy fin)，虚拟鳍片形成于栅极条的两侧。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示根据本发明内容一实施例的一半导体装置的上视图；

图1B绘示沿图1A的剖面线1B-1B’的虚拟鳍片和主动鳍片的剖面示意图；

图2A绘示根据本发明内容另一实施例的一半导体装置的上视图；

图2B绘示沿图2A的剖面线2B-2B’的半导体装置的剖面示意图；

图2C绘示沿图2A的剖面线2C-2C’的半导体装置的剖面示意图；

图3A～图7B绘示根据本发明内容的实施例的半导体装置制造方法的流程图。

符号说明

100、200：半导体装置

110、210：主动鳍片区

111：主动鳍片

120：栅极条

130、230：虚拟鳍片区

131～138：虚拟鳍片

141、143：虚拟栅极条

150：外延层

190：硅化物层

280：浅沟槽隔离氧化物

360：硅基材

361：硅条

363：氮化物间隙壁

367：图案化氮化物层

1B-1B’、2B-2B’、2C-2C’、3B-3B’、4B-4B’、5B-5B’、6B-6B’、7B-7B’：剖面线

G：间距