[发明专利]太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法有效
| 申请号： | 201310419329.7 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103464415A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 薛晓敏;孙翠枝 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;C11D7/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215153 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能 单晶硅 清洗 方法 | ||
1.一种太阳能单晶硅片清洗液，其特征在于，包括如下质量百分比的各组分：
质量分数为30%的过氧化氢溶液 1.00%～5.00%；
氢氧化钾 0.05%～0.30%；以及
纯水 94.95%～98.95%。
2.如权利要求1所述的太阳能单晶硅片清洗液，其特征在于，所述质量分数为30%的过氧化氢溶液及所述氢氧化钾的纯度均在分析纯以上，所述纯水的电阻在10兆欧姆以上。
3.一种太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
将待清洗的太阳能单晶硅片依次经酸洗、纯水漂洗、清洗剂清洗及纯水漂洗，以初步除去所述太阳能单晶硅片表面的脏污；
将上述初步清洗后的所述太阳能单晶硅片浸没在太阳能单晶硅片清洗液中进行清洗，其中，所述太阳能单晶硅片清洗液，包括如下质量百分比的各组分：
质量分数为30%的过氧化氢溶液 1.00%～5.00%、
氢氧化钾 0.05%～0.30%、以及
纯水 94.95%～98.95%；
将经所述太阳能单晶硅片清洗液清洗后的所述太阳能单晶硅片再次进行纯水漂洗，再烘干得到表面洁净的太阳能单晶硅片。
4.如权利要求3所述的太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述酸洗过程中使用的酸液是柠檬酸溶液；所述清洗剂清洗是使用碱液清洗，所述清洗剂清洗的次数为两次；所述纯水漂洗是使用纯水进行溢流漂洗。
5.如权利要求3所述的太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述质量分数为30%的过氧化氢溶液及所述氢氧化钾的纯度均在分析纯以上，所述纯水的电阻在10兆欧姆以上。
6.如权利要求3所述的太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，所述太阳能单晶硅片清洗液清洗过程中温度控制在30～50℃之间，清洗时间为200～400秒。
7.如权利要求3所述的太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，经所述太阳能单晶硅片清洗液清洗后的所述太阳能单晶硅片的纯水漂洗次数为两次。
8.如权利要求3所述的太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，在烘干之前还包括对纯水漂洗后的所述太阳能单晶硅片进行慢拉脱水处理的步骤。
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