[发明专利]N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法

权利要求书

1.一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法，其特征在于，包括：

步骤S1：测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻；

步骤S2：在所述基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺，得到选择性背场，并测试所述选择性背场的第二方块电阻；

步骤S3：判断所述第二方块电阻的电阻值是否达到目标值，如果未达到所述目标值，更换新的所述基底并重复所述步骤S1，在所述步骤S1之后，调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度，并执行所述步骤S2；如果达到所述目标值，所述步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述步骤S2中，利用网版（10）进行所述印刷腐蚀浆料和所述烘干的工艺。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述网版（10）包括刻蚀部（11），所述刻蚀部（11）包括刻蚀区（12），所述印刷腐蚀浆料的工艺在所述刻蚀区（12）进行。

4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述刻蚀区（12）为一个或多个。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述第一方块电阻为所述基底的制备所述选择性背场的区域的方块电阻。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，对N型太阳能电池的P型片采用方块电阻测试方法，得到所述第一方块电阻和所述第二方块电阻。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述第一方块电阻的电阻值为15欧姆至25欧姆。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述目标值为30欧姆至40欧姆。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述腐蚀浆料的重量的调节范围为0.5克至1克。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述烘干的温度的调节范围为300摄氏度至400摄氏度。