[发明专利]封装结构及半导体工艺

说明书

本发明是关于一种封装结构及半导体工艺，封装结构包括：一第一基板、一第二基板、一晶粒、数个电性连接元件、至少一间隔元件及封胶。该晶粒位于该第一基板及该第二基板之间，该至少一间隔元件设置于该晶粒及该第二基板之间，且接触该晶粒及该第二基板。电性连接元件电性连接该第一基板及该第二基板。利用该至少一间隔元件支撑该第二基板，使该第一基板与该第二基板间具有一设定距离，该等电性连接元件不须使用高强度的材料，以节省材料成本。且该至少一间隔元件可控制该晶粒与该第二基板间的距离及间隔空间，使得封胶可顺利流入间隔空间，不会产生空气或空隙于该间隔空间，可提高产品良率。

技术领域

本发明是关于一种封装结构及半导体工艺。

背景技术

在已知封装结构中，利用数个电性连接元件以电性连接二基板，且为了保持二基板间的距离，必须利用高结构强度的电性连接元件（例如：铜）支撑于二基板间，造成材料成本增加。并且，当下基板的晶粒与上基板的距离太小时，封胶难以流入，造成空气或空隙于下基板的晶粒与上基板的空间，可能产生产品瑕疵，例如因为封胶于晶粒与上基板之间的分布不均，造成封胶的机械强度大幅降低，降低封胶本身的可靠度以及封胶对晶粒或上基板的黏合强度。

另外，当利用B阶段（B-stage）胶材为包覆材料时，压合上基板于该包覆材料时，由于B阶段胶材尚未完全固化，因此下基板的晶粒与上基板的距离难以控制，若距离太大，则电性连接元件无法接触电性接点则会造成电性上的短路，若该距离太小时，在压合上基板的过程中，可能损害该晶粒，造成产品良率下降。

发明内容

本揭露的一方面是关于一种封装结构。在一实施例中，该封装结构包括：一第一基板、一第二基板、一晶粒、数个电性连接元件、至少一间隔元件及封胶。该第一基板具有一第一表面及数个第一导电接点，其中该等第一导电接点露出于该第一基板的该第一表面。该第二基板具有一第二表面及数个第二导电接点，其中该等第二导电接点露出于该第二基板的该第二表面，该第二表面是面对该第一基板的该第一表面。该晶粒位于该第一基板及该第二基板之间，其中该晶粒具有一第三表面，该第三表面是面对该第二基板的该第二表面，该第二表面及该第三表面之间具有一间隔空间。该等电性连接元件位于该第一基板及该第二基板之间，且与该等第一导电接点及该等第二导电接点物理连结及电性连接。该至少一间隔元件设置于该间隔空间，为该间隔空间内的一第一部份，且接触该晶粒及该第二基板。封胶包覆该第一基板的部分第一表面及该第二基板的部分第二表面，其中该封胶的一部份为该间隔空间内的一第二部分。

本揭露的另一方面是关于一种半导体工艺。在一实施例中，该半导体工艺包括以下步骤：(a)提供一第一基板，该第一基板具有一第一表面及数个第一导电接点，其中该等第一导电接点露出于该第一基板的该第一表面；(b)设置一晶粒于该第一基板的该第一表面，其中该晶粒具有一第三表面；(c)提供一第二基板，该第二基板具有一第二表面及数个第二导电接点，其中该等第二导电接点露出于该第二基板的该第二表面，该第二表面是面对该第一基板的该第一表面及该晶粒的第三表面；(d)设置至少一间隔元件于该晶粒及该第二基板之间，且设置数个电性连接元件于该第一基板及该第二基板之间，且该等电性连接元件与该等第一导电接点及该等第二导电接点物理连结及电性连接，其中该第二表面及该第三表面之间形成一间隔空间，该至少一间隔元件为该间隔空间内的一第一部份，且该至少一间隔元件接触该晶粒及该第二基板；及(e)注入封胶于该第一基板及该第二基板之间，该封胶包覆该第一基板的部分第一表面及该第二基板的部分第二表面，其中该封胶的一部份为该间隔空间内的一第二部分。

利用该至少一间隔元件支撑该第二基板，使该第一基板与该第二基板间具有一设定距离，且使得该等电性连接元件可为焊料，而不需利用该等电性连接元件支撑该第二基板，该等电性连接元件不须使用高强度的材料，以节省材料成本。且因该至少一间隔元件设置于该晶粒与该第二基板之间，可控制该晶粒与该第二基板间的距离，以避免该晶粒与该第二基板间的距离太小，使得封胶可顺利流入该间隔空间，故不会产生空气或空隙于该间隔空间，可提高产品良率。