[发明专利]有机电致发光装置及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310416447.2 申请日: 2013-09-12
公开(公告)号: CN104466010A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 周明杰;冯小明;钟铁涛;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 装置 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机电致发光领域,尤其涉及一种有机电致发光装置及其制备方法。

背景技术

有机电致发光,又称OLED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势。是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。

通常制备的OLED发光装置,由于电极材料,玻璃基板以及空气之间的折射率不匹配。使OLED发光单元发射的光线从电极向玻璃基板传输,然后进入空气中时,在全反射临界角的限制下,一般只有17%左右的光线能够出射,而大部分的光线则被限制在OLED结构内。

发明内容

本发明的目的在于提供一种出光效率高的有机电致发光装置以及该有机电致发光装置的制备方法。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种有机电致发光装置,其特征在于,所述有机电致发光装置包括依次层叠的基板、光提取层、导电阳极、发光层和导电阴极,所述导电阳极为铟锡氧化物薄膜、或铟锌氧化物、或铝锌氧化物、或镓锌氧化物的任意一种透明导电氧化物薄膜,所述导电阴极材质为金、或银、或铝、或镁、或金属合金的任意一种金属薄膜,所述发光层在电压驱动下透过所述基板发光,所述光提取层包括多个设有不同纳米微球尺寸的透光层,所述多个设有不同纳米微球尺寸的透光层按照所述基板至所述导电阳极方向层叠,一个所述透光层包含有同一尺寸的纳米微球;各所述透光层之间包含的纳米球尺寸按照从基板向所述导电阳极的方向依次减小,所述纳米微球材质为二氧化硅、或二氧化钛、或高分子聚苯乙烯的任意一种陶瓷材料或者高分子材料,所述透光层还包括聚合物,所述纳米微球与所述聚合物相混合,所述透光层内纳米微球的尺寸越大,所述纳米微球与所述聚合物质量比例越小,所述聚合物材质为热固化的环氧树脂、或光固化的丙烯酸树脂、或热固化的酰胺树脂的任意一种热固化树脂或光固化树脂。

其中,所述纳米微球尺寸范围为50nm~1500nm。

其中,所述纳米微球与所述聚合物质量比例范围为5:100-50:100。

其中,若所述透光层内纳米微球的尺寸范围为50-199nm,则所述透光层内纳米微球在聚合物材料中的质量比例范围为10:100-50:100,若所述透光层内纳米微球的尺寸范围为200-599nm,则所述透光层内纳米微球在聚合物材料中的质量比例范围为10:100-30:100,若所述透光层内纳米微球的尺寸范围为50-199nm,则所述透光层内纳米微球在聚合物材料中的质量比例范围为10:100-50:100。

其中,若所述透光层内纳米微球的尺寸范围为50-199nm,则所述透光层的厚度范围为10-50μm,若所述透光层内纳米微球的尺寸范围为200-599nm,则所述透光层的厚度范围为30-100μm,若所述透光层内纳米微球的尺寸范围为50-199nm,则所述透光层的厚度范围为10-50μm。

其中,所述导电阳极为铟锡氧化物薄膜、或铟锌氧化物、或铝锌氧化物、或镓锌氧化物的任意一种透明导电氧化物薄膜,所述导电阴极材质为金、或银、或铝、或镁、或金属合金的任意一种金属薄膜,所述导电阳极厚度范围为70nm~200nm,所述导电阴极厚度范围为70nm~200nm。

其中,所述导电阳极和所述导电阴极之间设置依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和和电子注入层。

一种有机电致发光装置的制备方法,其包括步骤:

提供一基板;

以第一预设丝网印刷目数在所述基板相对设置的两面中一面沉积所述光提取层,经过光固化或者热固化成膜,所述光提取层包括多个设有不同纳米微球尺寸的透光层,所述多个设有不同纳米微球尺寸的透光层按照所述基板至所述导电阳极方向层叠,一个所述透光层包含有同一尺寸的纳米微球;各所述透光层之间包含的纳米球尺寸按照从基板向所述导电阳极的方向依次减小,所述透光层还包括聚合物,所述纳米微球与所述聚合物相混合,所述透光层内纳米微球的尺寸越大,所述透光层内纳米微球在聚合物材料中的质量比例越小;

在所述光提取层远离所述基板一面真空溅射导电阳极,所述导电阳极为导电氧化物薄膜;

在所述导电阳极远离所述光提取层一面依次真空蒸发空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和和电子注入层;

在所述电子注入层远离所述导电阳极一面真空蒸发导电阴极,所述导电阴极为金属薄膜。

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