[发明专利]阵列基板及液晶显示面板无效

专利信息
申请号: 201310416121.X 申请日: 2013-09-13
公开(公告)号: CN104122717A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 柳智忠;王明宗;郑亦秀;熊园 申请(专利权)人: 深超光电(深圳)有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 徐丽昕
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其包括:

栅极线;

源极线,该源极线与该栅极线交叉排列,任意两条相邻的栅极线与任意两条相邻的源极线界定出一像素区域;

薄膜晶体管,包括与栅极线相连的栅极、与源极线相连的源极、以及漏极;

公共电极线,平行扫描线设置,该公共电极线邻近该漏极且与漏极位于扫描线的同一侧,且至少部分漏极与公共电极线为层叠设置;

像素电极,对应该像素区域设置并与漏极电连接;

公共电极,该公共电极与像素电极配合产生水平电场。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:该公共电极线的线宽小于该扫描线的线宽。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:该阵列基板包括透明基底、第一线路层、半导体层及第二线路层,该第一线路层包括该栅极线及与该栅极线平行设置的该公共电极线,该第二线路层包括该源极线、该源极及该漏极,该漏极与该源极分别位于该半导体层的两侧并彼此分离,且部分漏极和部分源极分别与该半导体层重叠,该栅极、该源极、该漏极及该半导体层定义为薄膜晶体管,该源极线与该栅极线交叉排列,任意两条相邻的栅极线与任意两条相邻的源极线界定出一像素区域,该薄膜晶体管位于该栅极线与该源极线相交的角落。

4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于:该第一线路层设置在该透明基底邻近该液晶层一侧的表面上,该第二线路层与第一线路层通过绝缘层绝缘设置,该半导体层设置在该绝缘层与该第二线路层之间。

5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于:该像素电极对应该像素区域设置,设置于该绝缘层邻近该液晶层的一侧的表面上。

6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:一钝化层覆盖于该绝缘层、该半导体层、该像素电极、该第二线路层邻近该液晶层一侧的表面上,该公共电极覆盖于该钝化层邻近该液晶层一侧的表面上。

7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于:该公共电极是一整面透明电极,该公共电极对应该像素电极的位置设置有多个间隔设置的狭缝。

8.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于:该公共电极对应薄膜晶体管的部分设置开口。

9.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于:该公共电极与该像素电极是透明电极。

10.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于:该公共电极与该像素电极的材质为氧化铟锡。

11.一种液晶显示面板,其包括彩色滤光片基板、对应彩色滤光片基板设置的阵列基板以及夹置在二基板之间的液晶层,其特征在于:该阵列基板采用权利要求1-10中任意一项权利要求所述的阵列基板。

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