[发明专利]一种四道光罩制作的阵列基板及液晶面板

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示领域，特别涉及一种四道光罩制作的阵列基板及液晶面板。

背景技术

目前，很多液晶面板阵列基板的制造商为了降低制造的成本，大多选择四道光罩制作液晶面板阵列基板。但是一般四道光罩制作的液晶面板阵列基板在使用时常存在一些问题与不足。比如，因为四道光罩制作液晶面板阵列基板中非晶硅层与第二层金属层使用同一道光罩，数据线下方均存在非晶硅层，并且非晶硅层宽度大于数据线宽度。当公共电极与数据线存在较大电压差时，非晶体硅将表现为导体性质，因此一方面增大了数据线的电容电阻延迟，另一方面使非晶硅层对像素电极造成串扰。

一般五道光罩制作的液晶面板可以根据AGC-8domian（不对称栅极耦合-八畴）原理实现液晶面板的八畴显示，其中AGC-8domian原理指是利用MIS结构（金属层-绝缘层-半导体层），MIM结构（金属层-绝缘层-金属层）形成的存储电容大小差异，造成每个子像素中的两个孙像素的回馈电压差异，从而实现两个孙像素电压的差异，从而实现产生八畴显示。目前，由于采用四道光罩制作的液晶面板阵列基板像素的存储电容均为MIS结构，因此不能基于AGC-8domian原理实现液晶面板的的八畴显示。

发明内容

发明目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种能够减小数据线电容电阻延迟，并消除非晶硅层对像素电极的串扰，也能够实现八畴显示的四道光罩制作的阵列基板。

技术方案：为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为一种四道光罩制作的阵列基板，包括由纵横交错的若干数据线和若干扫描线围成的子像素，每个子像素中的公共电极和数据线与设在两者之间的绝缘层和非晶硅层形成平行板电容，在公共电极上设定不大于-5V的直流电压。

其中，所述设定公共电极电压的方法为：将采用所述阵列基板的液晶面板显示画面，然后调节公共电极电压，同时测量所述数据线的电阻电容延迟，当数据线的电阻电容延迟最小时的公共电极电压为设定电压。采用这种方法设定的公共电极电压能够使非晶硅层一直处于绝缘状态。

所述设定公共电极电压的方法为：将采用所述阵列基板的液晶面板显示画面，然后调节公共电极电压，同时测量所述液晶面板的总电流，当测量液晶面板的总电流最小时的公共电极电压为设定电压。采用这种方法设定的公共电极电压更加理想能够使非晶硅层一直处于绝缘状态。

进一步，所述设定公共电极电压最好在-10V～-5V之间。这样非晶硅层能够一直处于绝缘状态。

本发明还提供一种四道光罩制作的阵列基板，包括由纵横交错的若干数据线和若干扫描线围成的子像素，其中每个子像素均包括两个孙像素，所述每个孙像素各对应一个公共电极，所述每个孙像素中的公共电极和像素电极与设在两者之间的绝缘层和非晶硅层形成存储电容，在所述每个孙像素的公共电极分别设定一个正负极性变化的交流电压，其中每个子像素中两个孙像素的公共电极上的电压极性相反。

所述存储电容为MIS结构，包括从下至上依次设置的第一层金属、第一绝缘层、非晶硅层和第二层金属，第二层金属的电压与像素电极的电压相同。其中交流电压优选为方波电压。交流电沿的正极性电压优选为17V，所述负极性电压优选为-5V。

本发明还提供一种液晶面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板、以及夹设阵列基板和彩膜基板之间的液晶，所述阵列基板包括由纵横交错的若干数据线和若干扫描线围成的子像素，其中每个子像素均包括两个孙像素，所述每个孙像素各对应一个公共电极，所述每个孙像素中的公共电极和像素电极与设在两者之间的绝缘层和非晶硅层形成存储电容，在所述每个孙像素的公共电极分别设定一个正负极性变化的交流电压，且两个公共电极的电压为相反极性所述交流电压的极性每帧变更一次，所述正极性电压为17V，所述负极性电压为-5V。

所述公共电极上电压变换时刻最好设置于系统空白时间内。这样公共电压的变换不会影响显示画面。

所述彩膜基板上公共电极电压均为相同电压值。这样由于两个孙像素均正负极性对称，显示器就不会有闪烁等问题。

有益效果：本发明与现有技术相比，通过对阵列基板上的公共电极设计特定电压来改变非晶硅层的属性，从而有效降低了四道光罩制作的液晶面板阵列基板中数据线的电容电阻延迟，而且也消除了非晶硅层对像素电极的串扰。与此同时，本发明还解决了采用四道光罩制作的阵列基板的液晶面板基于AGC-8domian原理的八畴显示问题。

附图说明

图1为本发明实施例1中阵列基板中的子像素的结构示意图；