[发明专利]一种混合使用制绒添加剂的方法无效
| 申请号: | 201310415507.9 | 申请日: | 2013-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN104465361A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 马志强 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 101111 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 混合 使用 添加剂 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池工艺技术技术领域,主要用来改善单晶制绒效果,
降低电池片单耗。
背景技术
目前,晶体硅太阳能电池的发展方向依然是降低成本和提高效率。为了达到这两个目标,单晶碱制绒的效果表现的尤为重要。然而,在现在是市场上的碱制绒优化剂主要分为两种:1、对碱硅反应控制不足,造成绒面随着溶液的老化而逐渐增大。2、对碱硅反应的控制太强,造成绒面极小,在显微镜下金字塔结构十分微小,外观与未制绒相似。
本次使用的优化剂为时创S-929B,长优C-300
时创S-929B是使用范围比较广泛的一种添加剂,制绒速度较快,绒面较大。但是在制绒过程中需要添加大量的IPA,而且制绒后硅片的外观容易出现较多如白斑、手指印之类的缺陷。
昆山长优生产的C-300制绒添加剂单独使用时,不需要添加IPA,外观一般不会产生缺陷,反应容易控制。但是单独使用该添加剂制绒硅片表面发白,金字塔尺寸太小,反射率较差,而且添加剂用量较大。成本较高.
发明内容
本方法通过对两种类型的优化剂的混合使用,凸显了两种优化剂的优势,使绒面金字塔结构始终保持在2-8微米的范围,均匀致密的分布在硅片表面。同时还减少了化学品的用量,减少硅片制绒后外观上的缺陷,降低制绒工段产生的B片率
通过以下技术方案实现:
一种运用于单晶碱制绒的方法,通过将两种不同类型的制绒后优化剂以一定的比例混合使用,来改善制绒效果,降低使用成本。
本发明具有如下显著优点:
1.通过将两种优化剂混合使用,是其优势互补,改善单晶绒面,减少化学品用量。
2.通过优化剂的混合使用,基本消除了了单晶制绒后除油污和花篮印以外的所有外观缺陷。
3.降低操作难度,对减重的控制只需调节时间即可,不必考虑化学品的补加量、外观等方面的问题。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍,但不作为对本发明专利的限定。
图1是混合优化剂制绒后绒面情况
图2是时创S-929B10批次以后制绒情况。
具体实施方式
下面结合实例对本发明作进一步的介绍,但是不作为对本发明的限定。制绒槽槽体为180L,单独使用时创S-929B时溶液初配为:
NaOH:1000g,IPA:14L,Na2SiO3:300g时创S-929B:300ml ID:165L制绒温度为80-82℃,制绒时间为1300-1500S,减重为:0.38-0.42g,
每批制绒200片,补加化学品量为
NaOH:200-220g/批,IPA:600ml/批,S-929B:50ml/批
溶液使用寿命为25批次.
单独使用C-300时,溶液初配:
NaOH:1000g,Na2SiO3:300g,长优C-300:500ml,ID:165L
制绒温度为80-82℃,制绒时间为1300S,减重为:0.38-0.42g,
每批制绒200片,补加化学品量为
NaOH:200-220g/批,S-929B:30ml/批
溶液使用寿命为60批次
使用混合添加剂时,溶液初配:
NaOH:1000g,IPA:14L,Na2SiO3:300g时创S-929B:300ml ID:165L将C-300与S-929B按体积比为1:200-1:175的比例混合,补加化学品时:NaOH:180-200g/批,IPA:300ml/批,混合添加剂:30ml/2批,制绒时间稳定保持在1300S,减重为0.38-0.42g
溶液使用寿命为50批次,而且制绒后硅片的少子寿命随着制绒液的使用次数逐渐上升.
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





