[发明专利]使用具有任意耦合系数的片上变压器的毫米波放大器单向化网络有效
| 申请号： | 201310414938.3 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103457555A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈继新;梁文丰;洪伟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03F3/60 | 分类号： | H03F3/60 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 具有 任意 耦合 系数 变压器 毫米波 放大器 单向 网络 | ||
1.一种使用具有任意耦合系数的片上变压器的毫米波放大器单向化网络，其特征在于，所述毫米波放大器单向化网络包括共源极结构放大器（1）、片上螺旋变压器（2），所述片上螺旋变压器（2）包括初级线圈（21）和次级线圈（22）；将片上螺旋变压器（2）的初级线圈（21）和次级线圈（22）分别连接在共源极结构放大器（1）的栅极和漏极上，所述次级线圈（22）感应漏极电压，通过所述片上螺旋变压器（2）耦合到初级线圈（21）中，再以电流的形式反馈到栅极上，形成电压-电流负反馈的结构，通过调节所述次级线圈（22）的自电感值满足特定的单向化条件，其中，所述片上螺旋变压器（2）可以使用任意的耦合系数。
2.根据权利要求1所述的毫米波放大器单向化网络，其特征在于，所述单
向化条件为：
其中，Lsc为次级线圈的自电感值，n为变压器初、次级线圈的匝数比,k为变压器的耦合系数，Cgd为晶体管的栅漏寄生电容值,ω为放大器工作频段的角频率。
3.根据权利要求1所述的毫米波放大器单向化网络，其特征在于，如果需要改变所述共源极结构放大器（1）的工作频段，只需要改变所述片上螺旋变压器（2）的次级线圈（22）的自电感值或初次级线圈的匝数比。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的毫米波放大器单向化网络，其特征在于，所述共源极结构放大器（1）采用硅基互补金属氧化物半导体集成电路工艺实现。
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