[发明专利]一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法有效
| 申请号： | 201310414732.0 | 申请日： | 2013-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103456607A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 史敬元;金智;张大勇;麻芃;彭松昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/312 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 工艺 衬底 进行 预处理 方法 | ||
1.一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，该方法是以苯并环丁烯(BCB)有机膜层来钝化、修饰衬底表面，实现对衬底表面的预处理。
2.根据权利要求1所述的碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤1：将清洗后的衬底放入烘箱内80℃～200℃干燥处理5分钟～60分钟；
步骤2：配制苯并环丁烯(BCB)溶液，利用有机溶液对BCB溶液进行稀释，通过匀胶机将稀释后的BCB溶液旋涂在衬底表面；
步骤3：在N2或者惰性气体的保护下，将表面旋涂BCB溶液后的衬底加热至200℃～400℃，使苯并环丁烯单体发生交联反应生成苯并环丁烯聚合体，从而在衬底表面形成BCB有机膜层。
3.根据权利要求2所述的碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，步骤2中所述对BCB溶液进行稀释的有机溶液为1，3，5-三甲基苯、癸烷、1-丁醇、甲苯、丙二醇甲醚乙酸酯或N-甲基吡咯烷酮。
4.根据权利要求2所述的碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，步骤3中所述加热的温度越低，需要加热的时间就越长，加热的温度越高，需要加热的时间就越短，当加热温度大于或者等于200℃且小于270℃时，在该加热温度处恒温保持15分钟～180分钟后，再自然冷却至常温；当加热温度大于或者等于270℃且小于400℃时，于5秒～1分钟的时间内进行快速热退火。
5.根据权利要求4所述的碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，所述对衬底加热并退火是在N2保护下进行，采用热板加热、烘箱加热或管式炉加热，退火温度在200～400摄氏度，退火时间在5秒～3小时。
6.根据权利要求2所述的碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，步骤3中所述BCB有机膜层的厚度为5nm～50nm。
7.根据权利要求2所述的碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，其特征在于，步骤3中所述在衬底表面形成BCB有机膜层之后，再转移碳纳米管或石墨烯到衬底表面。
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