[发明专利]电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法在审
| 申请号: | 201310414439.4 | 申请日: | 2013-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN104465490A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 傅正军;薛四十子;唐建 | 申请(专利权)人: | 建宇(上海)石油科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;E21B17/16 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201322 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电阻率 随钻铤 环形 穿线 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种加工方法,特别是涉及一种电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法。
背景技术
原电阻率随钻铤的环形穿线孔加工都采用常规工艺的加工方法,即在电阻率随钻铤本体上车割圆周槽及半孔形R槽,将线嵌入R槽内后用环氧树脂填补,再用玻璃钢作圆周相嵌后用半圆形天线罩随轴圆周相抱扣安装作保护。但由于环氧树脂与金属相密封之中产生线性渗进维量水分,累积存量在线性层间延渗随之进入线路系统直接影响信息失常,久之影响电阻率随钻铤的功能,此种加工方法,由多种材料组合工艺复杂,不但成本高,且起不到高要求的密封作用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法,其工艺简单,降低成本,且达到高要求的密封作用。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法,其特征在于,其包括以下步骤:
步骤一:直接在电阻率随钻铤本体上按设计位置车削开一个凹槽且在凹槽的底部开有一个半圆槽,半圆槽的半径是环形穿线孔的半径;凹槽包括第一凸起、第二凸起和焊接层,焊接层是凹槽除去第一凸起、第二凸起后的所有地方,第一凸起和第二凸起分别位于凹槽的两侧;
步骤二:用凹形滚压刀滚压第一凸起和第二凸起使第一凸起和第二凸起相接,相接后和半圆槽形成环形穿线孔,相接时会形成和滚压相接线缝;
步骤三:焊接滚压相接线缝使滚压相接线缝熔接,焊接预留的焊接层使焊接层与电阻率随钻铤本体熔接。
优选地,所述步骤三的焊接的材料与电阻率随钻铤本体的材料相同。
优选地,所述步骤二的滚压是利用金属变形的原理,随凹形滚压刀设置的形状,产生环形穿线孔的。
本发明的积极进步效果在于:本发明电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法的工艺简单,降低成本,且达到高要求的密封作用。
附图说明
图1为本发明电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法实施步骤一的结构示意图。
图2为图1的A处的放大示意图。
图3为本发明电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法实施步骤二的结构示意图。
图4为本发明电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法实施步骤三的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例,以详细说明本发明的技术方案。
如图1至图4所示,本发明电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法包括以下步骤:
步骤一:直接在电阻率随钻铤本体1上按设计位置车削开一个凹槽2且在凹槽2的底部开有一个半圆槽3,半圆槽的半径是环形穿线孔的半径;凹槽2包括第一凸起4、第二凸起5和焊接层6,焊接层6是凹槽2除去第一凸起4、第二凸起5后的所有地方,第一凸起4和第二凸起5分别位于凹槽2的两侧;
步骤二:用凹形滚压刀滚压第一凸起4和第二凸起5使第一凸起4和第二凸起5相接,相接后和半圆槽3形成环形穿线孔7,相接时会形成和滚压相接线缝8,滚压是利用金属变形的原理,随凹形滚压刀设置的形状,产生环形穿线孔的;
步骤三:焊接滚压相接线缝8使滚压相接线缝熔接,焊接预留的焊接层6使焊接层6与电阻率随钻铤本体1熔接。焊接的材料与电阻率随钻铤本体1的材料相同。
综上所述,本发明电阻率随钻铤的环形穿线孔加工方法的工艺简单,只需三个步骤,降低成本,且达到高要求的密封作用。
以上所述的具体实施例,对本发明的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于建宇(上海)石油科技有限公司,未经建宇(上海)石油科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310414439.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置
- 下一篇:一种混合使用制绒添加剂的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





