[发明专利]芯片到封装接口

说明书

技术领域

本发明一般地涉及一种半导体封装，并且更加具体地涉及一种芯片到封装接口。

背景技术

近来，对于处于30GHz到300GHz的毫米波频谱的兴趣已经急剧地增加。低成本高性能Si基技术的出现已经为系统设计者和服务提供商打开了新的视角，因为这使得能够以在千兆赫范围或者更低中操作的无线电的相同成本结构发展毫米波无线电。与可用的超宽带宽相组合地，这使得对于支持范围从所有种类的超高速数据传输、视频分配、便携式雷达、传感、检测和成像的、新的类别的系统和应用而言，毫米波频谱是前所未有地更加吸引人的。

然而，利用毫米波无线电频谱要求为毫米波半导体器件设计并且制造低成本、高性能RF前端的能力。

发明内容

根据本发明的一个实施例，一种半导体封装包括置放在封装剂内的半导体芯片。第一线圈置放在半导体芯片中。介电层置放在封装剂和半导体芯片上方。第二线圈置放在介电层上方。第一线圈被磁耦合到第二线圈。

根据本发明的可替代实施例，一种半导体器件包括置放在半导体芯片内的变压器的第一线圈，和置放在半导体芯片外侧的绝缘材料内的变压器的第二线圈。第一和第二线圈形成变压器。

根据本发明的可替代实施例，一种形成半导体封装的方法包括形成具有置放在最上金属层级中的第一线圈的半导体芯片。形成包括半导体芯片的重构晶圆。在重构晶圆之上形成介电层。在介电层之上形成第二线圈。第二线圈被配置为与第一线圈磁耦合。

附图说明

为了更加完全地理解本发明及其优点，现在参考与附图相结合进行的以下说明，其中：

图1示意根据一个实施例的毫米波半导体封装的示意图；

包括图2A–2D的图2示意根据本发明的实施例的、用于毫米波集成电路的半导体封装，其中图2A示意截面顶视图而图2B–2D示意不同的截面视图；

图3示意根据本发明的一个实施例安装在印刷电路板上的mm波半导体封装；

包括图4A–4C的图4示意根据本发明的可替代实施例的半导体封装；

包括图5A–5E的图5示意其中在多个金属层级之上形成变压器线圈的半导体封装的可替代实施例；

包括图6A–6C的图6示意在根据本发明的一个实施例的半导体封装的制造期间在形成器件区域和金属化层之后的半导体基板，其中图6A和6B示意截面视图并且图6C示意顶视图；

图7示意放大截面视图，示意根据本发明的一个实施例在形成重构晶圆期间该多个芯片中的两个芯片；

图8示意根据本发明的一个实施例在形成重构晶圆之后在制造期间的半导体封装；

图9示意根据本发明的一个实施例在从载体分离重构晶圆之后在制造期间的半导体封装；

图10示意根据本发明的一个实施例在半导体芯片上形成用于再分配线接触下面的触垫的开口之后在制造期间的半导体封装的放大截面视图；

图11示意根据本发明的一个实施例在为再分配层制造种子层之后的半导体封装的放大视图；

图12示意根据本发明的一个实施例在制造再分配层之后的半导体封装的放大视图；

图13示意根据本发明的一个实施例在围绕再分配线形成保护性介电层之后的半导体封装的放大视图；

图14示意根据本发明的一个实施例在为介电层中的触点形成开口之后的半导体封装的放大视图；

图15示意根据本发明的一个实施例在形成焊球触点之后的半导体封装的放大视图；

包括图16A和16B的图16示意根据本发明可替代实施例的半导体封装的电路示意图；并且

图17示意根据本发明可替代实施例的、示意接收器和发射器这两者的半导体封装的电路示意图。

在不同的图中相应的数字和符号一般地参考相应的部件，除非另有指示。图被绘制用于清楚地示意实施例的有关方面而并不是必要地按照比例绘制。

具体实施方式

在下面详细地讨论了各种实施例的实现和使用。然而，应该理解，本发明提供能够在很多种具体环境中体现的很多可应用的创造性概念。所讨论的具体实施例仅仅示意用于实现和使用本发明的具体方式，而非限制本发明的范围。