[发明专利]一种微纳阵列传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于同时检测多个神经细胞的神经递质的微纳圆环阵列传感器，其包括： 

微纳圆环电极阵列，其为微纳圆环电极组成的阵列； 

定点纳米修饰层，其位于微纳环形电极的内表面，用于增加电极性能； 

特异选择反应修饰层，其通过在定点纳米修饰层的表面固定不同的特异性材料形成，用于对应检测不同细胞的不同神经递质； 

选择性细胞吸附层，其形成在特异选择反应修饰层表面，用于细胞的选择性吸附。 

2.如权利要求1所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，微纳圆环电极阵列是采用微机电系统技术制备的薄膜圆环电极，且微纳电极圆环电极的高度为20～500nm，周长为20～500μm。 

3.如权利要求2所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，所述微纳圆环电极阵列采用多次光刻工艺制备。 

4.如权利要求1所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，定点纳米修饰层采用金属或其它导电物质进行定点修饰。 

5.如权利要求5所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，定点纳米修饰层采用电镀、电聚合、共聚合或微涂敷方式进行定点修饰。 

6.如权利要求1所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，选择性细胞吸附层通过光刻工艺制备，通过在非电极位点区域修饰憎水性硅烷材料、在微纳圆环电极的电极位点修饰亲水性氨基酸和多糖制成。 

7.如权利要求1所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，其用于检测神经单细胞的电生理信号和电化学信号。 

8.如权利要求7所述的微纳圆环阵列传感器，其特征在于，其同时检测单个细胞的多种神经递质信号。 

9.一种用于同时检测多个神经细胞的神经递质的微纳圆环阵列传感器的制备方法，其包括： 

步骤1、在绝缘基材上一次涂覆光刻胶，并采用光刻工艺在光刻胶上形成所需引线、触点和电极阵列图形； 

步骤2、沉积金属薄膜、去胶后形成引线、触点和电极阵列，然后沉积绝缘层； 

步骤3、在绝缘层上二次涂覆光刻胶，光刻显影形成面积更小的电极阵列图形； 

步骤4、在所述面积更小的电极阵列图形上去除绝缘层和金属薄膜，形成微纳圆环电极表面； 

步骤5、三次旋涂光刻胶形成，光刻显影形成触点图形，在所述触点图形上刻蚀去掉绝缘层，剥离光刻胶，形成最终的微纳环形电极阵列； 

步骤6、在所述微纳圆环电极表面定点修饰形成定点纳米修饰层； 

步骤7、在所述定点纳米修饰层上固定不同的特异性材料，形成特异选择反应修饰层； 

步骤8、在传感器不同位置上通过光刻工艺分别制备选择性细胞吸收层，完成微纳圆环阵列传感器的制备。