[发明专利]一种静电释放保护装置有效
| 申请号： | 201310413600.6 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103441126A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈茂奎 | 申请（专利权）人： | 陈茂奎 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 释放 保护装置 | ||
1.一种静电释放保护装置，其特征在于，包括：
第一单元和第二单元，所述第一单元与所述第二单元串联；
所述第一单元，包含：至少两个分支，每个分支之间彼此并联，每个分支的结构相同，所述分支包含：两个二极管一端连接在I/O上，另外一端分别反向连接在第二单元和地上；
所述第二单元，包含：至少一个分支，每个分支的结构相同，所述分支包含：至少两个二极管串联，且串联后的阴极与电源连接；第二单元中分支个数小于所述第一单元的分支个数；
第二单元中每个分支采用的二极管尺寸是第一单元中每个分支采用的二极管尺寸的N倍，所述N等于第二单元中每个分支采用的二极管的个数加1。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一单元中的每个分支采用最小尺寸的二极管。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二单元中的任意两个或者多个分支连接在同一个电源上。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二单元中的每个分支安装在所连接的电源VCC PAD下面。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一单元，包含：两个分支并联，每个分支结构相同，所述分支包含：两个二极管一端连接在I/O上，另外一端分别反向连接在第二单元和地上；
所述第二单元，包含：一个分支，该分支包含：两个二极管串联，串联后的阴极与电源连接；
所述第二单元中采用的二极管尺寸是所述第一单元采用的二极管尺寸的3倍。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二单元中的两个二极管安装在所连接的VCC PAD下面。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一单元，包含：至少两个分支，每个分支之间彼此并联，每个分支的结构相同，所述分支包含：两个二极管串联，尺寸较小的二极管一端连接在I/O上，另外一端连接地，尺寸较大的二极管一端连接在I/O上，另外一端与第二单元连接；
所述第二单元每个分支采用的二极管尺寸与所述第一单元中较大的二极管尺寸一致；且每个分支采用的二极管个数等于第一单元中较大二极管尺寸与较小二极管尺寸的倍数减去1。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一单元中的每个分支采用二极管面积40umx70um。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
