[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的公共电极和有源层位于同一层，为通过一次构图工艺同时形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的公共电极和有源层为采用透明金属氧化物半导体材料制成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述透明金属氧化物半导体材料为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的沟道保护层；

所述沟道保护层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的公共电极和有源层；

所述公共电极和有源层上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的层间绝缘层，所述层间绝缘层包括有对应所述有源层的源电极过孔和漏电极过孔、对应所述公共电极的公共电极线过孔；所述源电极过孔、漏电极过孔、公共电极线过孔还贯穿栅绝缘层；

所述层间绝缘层上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线，所述源电极和漏电极分别通过所述源电极过孔和漏电极过孔与所述有源层连接，所述公共电极线通过所述公共电极线过孔与所述公共电极连接；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的钝化层，所述钝化层包括有对应所述漏电极的钝化层过孔；

所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极电连接。

7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺同时形成公共电极和有源层的图形。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底基板上沉积透明金属氧化物半导体层；

通过一次构图工艺利用所述透明金属氧化物半导体层同时形成所述公共电极和所述有源层的图形。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上沉积透明金属氧化物半导体层，通过一次构图工艺利用所述透明金属氧化物半导体层同时形成所述公共电极和所述有源层的图形包括：

通过溅射方法在衬底基板上沉积一层厚度为的透明金属氧化物半导体层；

在所述透明金属氧化物半导体层上涂覆光刻胶，曝光显影之后刻蚀所述透明金属氧化物半导体层，并剥离光刻胶，形成由所述透明金属氧化物半导体层组成的所述公共电极和有源层的图形。