[发明专利]一种镶嵌C/C的C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310412247.X | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103724041A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;汪洋 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/80;C04B35/622 |
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| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镶嵌 sic 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镶嵌C／C的C／SiC陶瓷基复合材料，由C／C复合材料和C／SiC陶瓷基复合材料组成，其特征在于在C／C复合材料周围包裹一层C／SiC陶瓷基复合材料。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于所述的C／SiC陶瓷基复合材料厚度为5～20mm。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于所述的C／SiC陶瓷基复合材料中的C纤维所占C／SiC陶瓷基复合材料的体积分数为40～60％。
4.一种镶嵌C／C的C／SiC陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：
(1)在制备好的C／C复合材料表面包裹一层碳纤维编织体，编织体的厚度为5～20mm；
(2)通过化学气相渗透法制备C界面；
(3)通过聚碳硅烷液相浸渍热解的方法向碳纤维编织体中渗入SiC；
(4)得到一种镶嵌C／C的C／SiC陶瓷基复合材料。
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