[发明专利]近场用电波吸收片材及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及为了抑制电子设备或者通信设备中的多余的辐射电波而被使用的近场用电波吸收片材以及其制造方法。

背景技术

近年来，随着电子设备和通信设备的小型化、轻量化，被安装于电子电路上的部件的安装密度也在提高。因此，起因于从电子部件辐射的电波，在电子部件彼此之间或者电子电路彼此之间产生电波干涉，由此引起的电子设备等的误动作成为问题。

为了防止该问题，将多余的辐射电波转换为热的近场用的电波吸收片材已经被安装于电子设备等中。该电波吸收片材的厚度为0.1mm～2mm，因而能够插入至电子部件或者电子电路附近，加工容易且形状自由度也高。因此，电波吸收片材能够适应于电子设备等的小型化、轻量化，作为电子设备等的防抗噪声部件，正在被广泛地应用。

典型的电波吸收片材是由被加工成扁平状的软磁性金属粉末和树脂组成，利用软磁性金属粉末的磁损将电波转换为热的构造。所以，电波吸收片材的电波吸收性能依赖于软磁性金属粉末的磁导率。一般而言，磁导率使用实部磁导率μ’和虚数部磁导率μ”而由复数磁导率μ＝μ’-j·μ”来表示，但在如电波吸收片材这样的利用磁损的情况下，虚数部磁导率μ”变为重要。即，在遍及于想要吸收的电波噪声的频带上，分布虚数部磁导率μ”是重要的。以下，在本说明书中，将虚数部磁导率μ”相对于频率的分布称为“μ”分散”。

磁损由磁滞损耗、涡流损耗以及剩余损耗三种组成，而想要通过电波吸收片材抑制的这种电波噪声处于1MHz～1GHz左右的高频波段上，在该波段上的磁损中，涡流损耗和剩余损耗变为主导。另外，作为剩余损耗，主要是磁共振重要。

在专利文献1中，记载有如下的技术：由被加工成扁平状的单一组分的软磁性金属粉末和树脂组成，通过将软磁性金属粉末的比表面积以成为规定值以上的方式进行加工，在高频侧出现新的磁共振，即使是单一组分，也可以在较宽的波段上得到μ”分散。

作为专利文献2，也已知使用了作为氧化物软磁性材料的六方晶系铁氧体的电波吸收片材。在六方晶系铁氧体中，很多是在GHz波段上显示磁共振的材料，由于通过用其它元素来置换构成元素的一部分而能够控制共振频率，因而适合作为吸收GHz波段的电波的电波吸收体。

作为为了在宽波段上得到μ”分散而组合了多种磁性材料的电波吸收片材，已知混合了多种软磁性金属粉末的片材（专利文献3）、混合了多种六方晶系铁氧体的片材（专利文献4）、由铁氧体层涂布了软磁性金属粉末的表面的片材（专利文献5）。

近年来，电子设备等的高性能化正在快速地推进，所使用的频率具有越来越高的倾向。例如，在个人电脑中，要求进一步的高速化，CPU的驱动频率就要达到GHz带。一方面进行这种电子设备等的多功能化和融合，而另一方面，从电子设备等辐射的多余的电波的频率也变高，由该辐射电波所引起的功能干涉和误动作也比以前增加而让人担心。另外，在电子电路上，各种电子部件被高密度地安装，各种频率的多余的电波被辐射，因而如果是在狭窄的频带上起作用的电波吸收片材，则就不能够应对。因此，一直希望开发可以在包括GHz波段的更宽的波段上得到μ”分散的电波吸收片材。

然而，在专利文献1的技术中，使用单一组分的软磁性金属粉末，虽然可以说是在比较宽的波段上得到μ”分散，但尤其是在GHz波段上的μ”分散还是不足。

专利文献2的六方晶系铁氧体与合金磁性体不同，电阻非常地高，因而由涡流所产生的磁损几乎无法预计。因此，使用了六方晶系铁氧体的电波吸收片材的μ”分散是仅由磁共振而产生的，因而虽然可以说是GHz带，但仍然成为比较窄的波段。

专利文献3即使混合了多种软磁性金属粉末，在GHz波段上的μ”分散还是不足，这一点与专利文献1同样。专利文献4即使混合了多种六方晶系铁氧体，由于起因于每一种材料的μ”分散的波峰是狭窄的，因而为了在宽广的频带上得到μ”分散，就必须组合共振频率不同的多数材料，不是有效率的。

专利文献5是在软磁性金属粉末的表面上通过镀层法使铁氧体层生长，由于量产技术尚未被确立，因而只能够少量合成。另外，六方晶系铁氧体的磁共振频率虽然能够通过部分的元素置换来控制，但是在这种电镀法中对元素置换进行控制这样的技术尚未被确立。

如以上那样，在现有的技术中，可以在包括GHz波段的更宽的波段上得到μ”分散的电波吸收片材在实用上尚不能够得到。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2001-210510号公报

专利文献2：日本专利特开2006-137653号公报