[发明专利]一种阵列基板及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

VA（Vertical Alignment，垂直对齐）型液晶显示面板具有响应速度快、对比度高等优点，是目前液晶显示面板的主流发展方向。然而，在不同的视角下，液晶分子的有效折射率也不相同，由此会引起透射光强的变化，具体表现为斜视角下透光能力降低，斜视角方向和正视角方向所表现的颜色不一致，发生色差，因此在大视角下会观察到颜色失真，尤其是目前液晶显示面板的尺寸也来越大，大尺寸显示面板的大视角色偏（Color Shift）问题更为严重。

图1所示为现有技术中解决上述问题通常采用的阵列基板的像素等效电路图，其中，阵列基板包括扫描线Gn、数据线Data和由扫描线Gn和数据线Data所共同定义的像素单元，每个像素单元划分为A区和B区，像素A区通过薄膜晶体管TFT_A驱动，像素B区通过薄膜晶体管TFT_B驱动。在同一种灰阶下使A区和B区的电压不相同，以呈现不同的Gamma曲线，从而两区合成的Gamma曲线在大视角下与正视角差异减小，明显改善色偏。具体地，逐行扫描多条扫描线，扫描至第n行时，扫描线Gn输入扫描信号以使TFT_A和TFT_B导通，数据线Data开始对像素A区和像素B区的存储电容（Cst）和液晶电容（Clc）充电，A区和B区的像素电压均被充至数据线Data上的电压。扫描至下一行（n+1行）时，扫描线Gn+1输入扫描信号以使薄膜晶体管TFT_C1导通，B区的像素电压通过电容Cs1发生变化，从而造成B区和A区的像素电压不同，达到低色偏效果。

在图1所示的电路中，设ΔV₁为A区的像素电压和公共电极之间的电压差，ΔV₂为B区的像素电压和公共电极之间的电压差，其比值ΔV1ΔV2=(Cst_B+Clc_B)/(Cst_B+Clc_B+2Cs1)]]>是设计时一个极为关键的参数，而Cs1的电容值则决定了的大小。电容Cs1的结构通常为如图2（a）所示的电容结构，其中，M1和M2为金属层，SiNx为绝缘层，AS为a-si，为半导体层，M2金属层与TFT_C1连接，M1金属层与公共电极连接。这种电容的C-V曲线如图2（b）所示，其特点是正半周的电容值大于负半周的电容值。理想的情况是，在正极性反转（数据电压大于公共电极的电压）和负极性反转（数据电压小于公共电极的电压）时值保持一致。然而，由于电容Cs1在正极性反转时的电容值大于在负极性反转时的电容值，从而使得在正常情况下，在正极性反转时的值小于在负极性反转时的值，即在正负极性反转时V_B/V_A值不一致，由此会降低大视角下的低色偏效果，同时还可能会造成影像残留等问题。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及液晶显示面板，能够提高大视角下的低色偏效果，同时能够减少残影现象，提高显示质量。