[发明专利]一种自然氧化层的去除方法在审
| 申请号： | 201310409612.1 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104425241A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自然 氧化 去除 方法 | ||
1.一种自然氧化层的去除方法，其特征在于，在400℃～600℃的温度条件下，使用锗的氢化物去除半导体衬底表面上的自然氧化层。
2.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，所述锗的氢化物的通式为GenH2n+2，其中n为1、2或3。
3.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，使用混合气去除半导体衬底表面上的自然氧化层，所述混合气包含锗的氢化物和氢气。
4.根据权利要求3所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，所述混合气中锗的氢化物和氢气的体积比为(1～10):100。
5.根据权利要求3所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，所述混合气的流量为20SCCM～500SCCM。
6.根据权利要求3所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，所述混合气的通气时间为10s～300s。
7.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，在去除自然氧化层的过程中还通入氢气，其流量为20SLM～180SLM。
8.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，去除自然氧化层的过程在20Torr～760Torr的条件下进行。
9.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，去除自然氧化层的过程中还通入氯气或氯化氢气体。
10.根据权利要求8所述的自然氧化层的去除方法，其特征在于，所述氯气或氯化氢气体的流量为20SCCM～1000SCCM。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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