[发明专利]一种自然氧化层的去除方法在审
申请号: | 201310409612.1 | 申请日: | 2013-09-10 |
公开(公告)号: | CN104425241A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 王桂磊;赵超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 王立民;吉海莲 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自然 氧化 去除 方法 | ||
1.一种自然氧化层的去除方法,其特征在于,在400℃~600℃的温度条件下,使用锗的氢化物去除半导体衬底表面上的自然氧化层。
2.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,所述锗的氢化物的通式为GenH2n+2,其中n为1、2或3。
3.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,使用混合气去除半导体衬底表面上的自然氧化层,所述混合气包含锗的氢化物和氢气。
4.根据权利要求3所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,所述混合气中锗的氢化物和氢气的体积比为(1~10):100。
5.根据权利要求3所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,所述混合气的流量为20SCCM~500SCCM。
6.根据权利要求3所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,所述混合气的通气时间为10s~300s。
7.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,在去除自然氧化层的过程中还通入氢气,其流量为20SLM~180SLM。
8.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,去除自然氧化层的过程在20Torr~760Torr的条件下进行。
9.根据权利要求1所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,去除自然氧化层的过程中还通入氯气或氯化氢气体。
10.根据权利要求8所述的自然氧化层的去除方法,其特征在于,所述氯气或氯化氢气体的流量为20SCCM~1000SCCM。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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