[发明专利]半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法

权利要求书

1.半导体层叠体，其具有基材以及所述基材上的复合硅膜，所述复合硅膜具有非晶硅来源的第1硅层、以及其上的硅粒子来源的第2硅层，且所述复合硅膜通过所述非晶硅层与所述硅粒子层一起熔解一体化而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体层叠体，其中，所述复合硅层的凸部的高度为100nm以下。

3.半导体装置，其具有权利要求1或2所述的半导体层叠体。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其为太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述复合硅层用于形成选择性发射极型太阳能电池的选择性发射极层、或背接触型太阳能电池的背接触层。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，所述复合硅层用于形成背面电场层或表面电场层。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其为场效应晶体管。

8.半导体层叠体的制造方法，其包含下述工序：

（a）在基材上形成非晶硅层的工序；

（b）在所述非晶硅层上涂布硅粒子分散体，使其干燥，由此在非晶硅层上形成硅粒子层层叠而成的未处理层叠体的工序；以及

（c）对所述未烧成层叠体进行光照射，通过所述非晶硅层与其上的所述硅粒子层一起熔解进行一体化，从而形成具有非晶硅来源的第1硅层以及其上的硅粒子来源的第2硅层的复合硅层的工序。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述非晶硅层的厚度为300nm以下。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，所述硅粒子层的厚度为300nm以下。

11.根据权利要求8～10中任一项所述的方法，其中，所述硅粒子的平均一次粒径为100nm以下。

12.根据权利要求8～11中任一项所述的方法，其中，使用激光进行所述光照射。

13.半导体层叠体，其通过权利要求8～12中任一项所述的方法获得。

14.半导体装置的制造方法，其包含：通过权利要求8～12中任一项所述的方法制作半导体层叠体。

15.半导体装置，其通过权利要求14所述的方法获得。