[发明专利]D2PAK整流二极管生产焊接工艺有效
| 申请号: | 201310408597.9 | 申请日: | 2013-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN103474359A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 石友玲;李国良;陆延年;刘海花 | 申请(专利权)人: | 南通康比电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;B23K37/04 |
| 代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 孙民兴;王维新 |
| 地址: | 226502 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | sup pak 整流二极管 生产 焊接 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及整流二极管生产工艺,具体涉及一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺。
背景技术
整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。
传统整流二极管的生产制造工艺生产的产品散热不好,耗材多,工艺复杂,后续工作不好处理。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出了一种D2PAK整流二极管生产焊接工艺,工艺合理,制造的产品散热好,耗材减少,有利于后续工作的进行,大大提高了生产效率。
为了达到上述发明目的,本发明提出了以下技术方案:
D2PAK整流二极管生产焊接工艺,具体在于以下步骤构成:作业前准备;装填框架;框架刷膏;铜粒装填;铜粒点胶;晶粒分面;晶粒装填;晶粒点膏;框架点膏;框架转换;跳线装填;目检;焊接;出炉下料;
1)作业前准备:清洁工作场地、台面;用异丙醇、汗衫布清洁工作台、点胶机工作台面、框架定位板、网板、各类吸盘、不锈钢盘;在点胶机上安装点胶头、焊膏瓶;用橡皮管将吸盘吸笔与真空气源相连,开启真空、压空气源,调节真空气源至适宜操作;将网板依框架定位板上定位块的定位导向,固定于印刷台上待用;装填晶粒、跳线必须使用不锈钢盘,以减少对芯片、跳线的摩擦、损伤;禁止用丙酮等有机溶剂擦拭点胶机控制面板,以防损伤控制面板;
2)装填框架:将D2PAK-T、AT2、AT3框架放置于各框架定位板上;框架定位由第二、第十八定位孔与框架定位板定位销配合定位;作业员必须戴细纱手套或者指套;框架轻拿轻放,以免框架变形,禁止用手接触框架焊接区,以防焊接
氧化或虚焊,不用的框架必须立即放于塑料袋内,密封保存,防止框架氧化;
3)框架刷膏:将装好框架的框架定位板依印刷台定位导向平放与印刷台上;倒适量罐装式焊膏在网板上;用刮膏板轻刮焊膏,在框架的焊接部位上,均匀刮涂约0.1mm厚的焊膏;将刷好膏的AT2/AT3框架从框架定位板上取下放入周转承料盒内待用;保持网板干净清洁,正常使用4小时后需重新清洗一次;刮好膏的材料,需检查焊膏量,焊膏量过少或过多,需人工补膏或用汗衫布擦洗去焊膏,重新刮膏;用汗衫布擦过焊膏的框架,必须立即投入使用,防止框架氧化,影响焊接区域;
4)铜粒装填:将真空度调节至适宜操作,取适量铜粒倒入铜粒吸盘中,轻摇吸盘,使铜粒落入吸盘的每一个孔中;翻转吸盘,将多余的铜粒倒入不锈钢盘中,用镊子去除多余的铜粒,并调整至正确位置;在刷好膏的框架定位板即装有AT框架上安装定位框;将铜粒吸笔依定位稍导向置于铜粒吸盘上,打开真空吸取铜粒并依定位框导向,置于框架定位板上;关闭真空,使铜粒落于框架上对应的刷胶的指定区域;补全或调整铜粒;铜粒吸盘每孔中仅允许存在一颗铜粒,不得缺少或叠片;每次倒出的铜粒数量小于或等于1.5K;铜粒吸笔不得粘有焊膏;粘膏后,立即用异丙醇清洗并用小针通吸气孔,以防焊膏堵塞吸气孔;铜粒放置时应与框架底面平行,铜粒下压时,用力适中,以防下层焊膏外溢;不用的铜粒必须立即倒于塑料自封袋内,放入干燥剂,密封保存;
5)铜粒点胶:针筒式焊膏、点膏头装配好并固定在点膏机上;框架定位板由设定第四、十三两根条上的定位孔与点胶机定位稍定位;安放框架定位板;选用设定的程序,按“START”键,机器自动点膏;根据铜粒尺寸大小,通过调节压空压力及点膏时间长短,控制点膏量,确保铜粒焊接牢固且无焊锡堆积在铜粒边缘或流挂;点胶结束,目检上胶量及上胶位置,合格后移走定位板;其中焊膏必须点在铜粒正中;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通康比电子有限公司,未经南通康比电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310408597.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种矿山井下高温点降温装置
- 下一篇:一种橡胶颗粒混凝土巷道支护结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>网状埋层扩散抛光片
- 零50电力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>专用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印输出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>图像的方法
- 在硅晶片上制备n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型结构的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的测定方法
- 五环[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚体的合成方法
- 含烟包装袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>离子的含量测定方法
- <base:Sup>68





